Справочник MOSFET. SUP25P10-138

 

SUP25P10-138 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SUP25P10-138
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 73.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.138 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для SUP25P10-138

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SUP25P10-138 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:128K  vishay
 sup25p10-138.pdf pdf_icon

SUP25P10-138

SUP25P10-138Vishay SiliconixP-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)c Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.138 at VGS = - 10 V - 16.3 Material categorization:0.141 at VGS = - 7.5 V - 16.1 24 nCFor definitions of compliance please see- 100www.vishay.com/doc?999120.142 at VGS = - 6 V - 16.

Другие MOSFET... SUM90N06-5M5P , SUM90N08-4M8P , SUM90N08-6M2P , SUM90N08-7M6P , SUM90N10-8M2P , SUM90P10-19 , SUM90P10-19L , SUP18N15-95 , MMIS60R580P , SUP28N15-52 , SUP36N20-54P , SUP40N10-30 , SUP40N25-60 , SUP40P10-43 , SUP45N03-13L , SUP50N03-5M1P , SUP50N10-21P .

History: IPB110N06LG | FK3F0301 | FDS6680S | STN4260 | AOT2906 | 2SK681A | BSC035N04LSG

 

 
Back to Top

 


 
.