SUP25P10-138 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SUP25P10-138
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 73.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.138 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
Аналог (замена) для SUP25P10-138
SUP25P10-138 Datasheet (PDF)
sup25p10-138.pdf
SUP25P10-138Vishay SiliconixP-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)c Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.138 at VGS = - 10 V - 16.3 Material categorization:0.141 at VGS = - 7.5 V - 16.1 24 nCFor definitions of compliance please see- 100www.vishay.com/doc?999120.142 at VGS = - 6 V - 16.
Другие MOSFET... SUM90N06-5M5P , SUM90N08-4M8P , SUM90N08-6M2P , SUM90N08-7M6P , SUM90N10-8M2P , SUM90P10-19 , SUM90P10-19L , SUP18N15-95 , 7N60 , SUP28N15-52 , SUP36N20-54P , SUP40N10-30 , SUP40N25-60 , SUP40P10-43 , SUP45N03-13L , SUP50N03-5M1P , SUP50N10-21P .
History: DMP3056LDM | SUM90N10-8M2P | MDP10N60GTH | IRLU8259PBF | ME4413D-G | FDMS6673BZ | HCD90R450
History: DMP3056LDM | SUM90N10-8M2P | MDP10N60GTH | IRLU8259PBF | ME4413D-G | FDMS6673BZ | HCD90R450
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
2sb649 | 2sb324 transistor | b754 transistor | 2sc828 equivalent | 4843ns | 2sc1318 datasheet | 2sc3281 datasheet | 2sa1106


