SUP60N06-12P - описание и поиск аналогов

 

SUP60N06-12P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SUP60N06-12P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для SUP60N06-12P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SUP60N06-12P даташит

 ..1. Size:164K  vishay
 sup60n06-12p.pdf pdf_icon

SUP60N06-12P

 4.1. Size:100K  vishay
 sup60n06-18 sub60n06-18.pdf pdf_icon

SUP60N06-12P

SUP/SUB60N06-18 Vishay Siliconix N-Channel 60-V (D-S), 175_C MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A) 60 0.018 60 TO-220AB D TO-263 DRAIN connected to TAB G G D S G D S Top View Top View S SUB60N06-18 SUP60N06-18 N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 60 V V Gate-Sourc

 6.1. Size:162K  vishay
 sup60n06.pdf pdf_icon

SUP60N06-12P

 7.1. Size:171K  vishay
 sup60n02.pdf pdf_icon

SUP60N06-12P

SUP60N02-4m5P Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET V(BR)DSS (V) rDS(on) ( ) ID (A)a 175 C Junction Temperature RoHS 0.0045 at VGS = 10 V 60 100 % Rg Tested COMPLIANT 20 0.0065 at VGS = 4.5 V 60 100 % UIS Tested APPLICATIONS OR-ing TO-220AB D DRAIN connected to TAB G G D S Top

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SUP40N25-60 , SUP40P10-43 , SUP45N03-13L , SUP50N03-5M1P , SUP50N10-21P , SUP53P06-20 , SUP57N20-33 , SUP60N02-4M5P , AOD4184A , SUP60N10-16L , SUP60N10-18P , SUP65P04-15 , SUP70N03-09BP , SUP75N03-04 , SUP75P03-07 , SUP75P05-08 , SUP85N02-03 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.