SUP65P04-15 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SUP65P04-15
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 380 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 640 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для SUP65P04-15
SUP65P04-15 Datasheet (PDF)
sup65p04-15 sub65p04-15.pdf

SUP/SUB65P04-15New ProductVishay SiliconixP-Channel 40-V (D-S) 175_C MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.015 @ VGS = 10 V6540400.023 @ VGS = 4.5 V 50STO-220ABTO-263GDRAIN connected to TABG D STop ViewG D SDSUB65P04-15Top ViewP-Channel MOSFETSUP65P04-15ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Param
sub65p04-15 sup65p04-15.pdf

SUP/SUB65P04-15Vishay SiliconixP-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.015 at VGS = - 10 V - 65- 400.023 at VGS = - 4.5 V - 50STO-263GDRAIN connected to TABG D STop ViewG D SSUB65P04-15Top ViewDSUP65P04-15P-Channel MOSFETOrderin
sup65p06-20 sub65p06-20.pdf

SUP/SUB65P06-20P-Channel Enhancement-Mode TransistorsProduct SummaryV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)60 0.020 65aSTO 220ABTO 263GDRAIN connected to TABG D STop ViewGD SDSUB65P06 20Top ViewP Channel MOSFETSUP65P06 20Absolute Maximum Ratings (TC = 25_C Unless Otherwise Noted)Parameter Symbol Limit UnitGate-Source Voltage VGS "20 VTC = 25_C 65aCon
sup65p06-20 sub65p06-20.pdf

SUP/SUB65P06-20Vishay SiliconixP-Channel 60-V (D-S), 175_C MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)60 0.020 65aTO-220ABSTO-263GDRAIN connected to TABG D S G D STop ViewTop ViewDSUB65P06-20SUP65P06-20 P-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol Limit UnitGate-Source Voltage VGS "20 VTC = 25_
Другие MOSFET... SUP50N03-5M1P , SUP50N10-21P , SUP53P06-20 , SUP57N20-33 , SUP60N02-4M5P , SUP60N06-12P , SUP60N10-16L , SUP60N10-18P , 5N50 , SUP70N03-09BP , SUP75N03-04 , SUP75P03-07 , SUP75P05-08 , SUP85N02-03 , SUP85N03-04P , SUP85N03-3M6P , SUP85N04-03 .
History: 2SK1403A | TSJ10N10AT | FIR210N06G
History: 2SK1403A | TSJ10N10AT | FIR210N06G



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sc1845 transistor | a933 transistor datasheet | a1633 transistor | 2sa844 | 2sc1327 | 2sc3855 | 2sc945 transistor equivalent | 2sd427