SUP65P04-15 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SUP65P04-15
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 85 nC
trⓘ - Время нарастания: 380 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 640 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для SUP65P04-15
SUP65P04-15 Datasheet (PDF)
sup65p04-15 sub65p04-15.pdf
SUP/SUB65P04-15New ProductVishay SiliconixP-Channel 40-V (D-S) 175_C MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.015 @ VGS = 10 V6540400.023 @ VGS = 4.5 V 50STO-220ABTO-263GDRAIN connected to TABG D STop ViewG D SDSUB65P04-15Top ViewP-Channel MOSFETSUP65P04-15ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Param
sub65p04-15 sup65p04-15.pdf
SUP/SUB65P04-15Vishay SiliconixP-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.015 at VGS = - 10 V - 65- 400.023 at VGS = - 4.5 V - 50STO-263GDRAIN connected to TABG D STop ViewG D SSUB65P04-15Top ViewDSUP65P04-15P-Channel MOSFETOrderin
sup65p06-20 sub65p06-20.pdf
SUP/SUB65P06-20P-Channel Enhancement-Mode TransistorsProduct SummaryV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)60 0.020 65aSTO 220ABTO 263GDRAIN connected to TABG D STop ViewGD SDSUB65P06 20Top ViewP Channel MOSFETSUP65P06 20Absolute Maximum Ratings (TC = 25_C Unless Otherwise Noted)Parameter Symbol Limit UnitGate-Source Voltage VGS "20 VTC = 25_C 65aCon
sup65p06-20 sub65p06-20.pdf
SUP/SUB65P06-20Vishay SiliconixP-Channel 60-V (D-S), 175_C MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)60 0.020 65aTO-220ABSTO-263GDRAIN connected to TABG D S G D STop ViewTop ViewDSUB65P06-20SUP65P06-20 P-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol Limit UnitGate-Source Voltage VGS "20 VTC = 25_
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918