SUP65P04-15. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SUP65P04-15
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 380 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 640 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для SUP65P04-15
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SUP65P04-15 даташит
sup65p04-15 sub65p04-15.pdf
SUP/SUB65P04-15 New Product Vishay Siliconix P-Channel 40-V (D-S) 175_C MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.015 @ VGS = 10 V 65 40 40 0.023 @ VGS = 4.5 V 50 S TO-220AB TO-263 G DRAIN connected to TAB G D S Top View G D S D SUB65P04-15 Top View P-Channel MOSFET SUP65P04-15 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED) Param
sub65p04-15 sup65p04-15.pdf
SUP/SUB65P04-15 Vishay Siliconix P-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.015 at VGS = - 10 V - 65 - 40 0.023 at VGS = - 4.5 V - 50 S TO-263 G DRAIN connected to TAB G D S Top View G D S SUB65P04-15 Top View D SUP65P04-15 P-Channel MOSFET Orderin
sup65p06-20 sub65p06-20.pdf
SUP/SUB65P06-20 P-Channel Enhancement-Mode Transistors Product Summary V(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A) 60 0.020 65a S TO 220AB TO 263 G DRAIN connected to TAB G D S Top View GD S D SUB65P06 20 Top View P Channel MOSFET SUP65P06 20 Absolute Maximum Ratings (TC = 25_C Unless Otherwise Noted) Parameter Symbol Limit Unit Gate-Source Voltage VGS "20 V TC = 25_C 65a Con
sup65p06-20 sub65p06-20.pdf
SUP/SUB65P06-20 Vishay Siliconix P-Channel 60-V (D-S), 175_C MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A) 60 0.020 65a TO-220AB S TO-263 G DRAIN connected to TAB G D S G D S Top View Top View D SUB65P06-20 SUP65P06-20 P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED) Parameter Symbol Limit Unit Gate-Source Voltage VGS "20 V TC = 25_
Другие MOSFET... SUP50N03-5M1P , SUP50N10-21P , SUP53P06-20 , SUP57N20-33 , SUP60N02-4M5P , SUP60N06-12P , SUP60N10-16L , SUP60N10-18P , IRFP064N , SUP70N03-09BP , SUP75N03-04 , SUP75P03-07 , SUP75P05-08 , SUP85N02-03 , SUP85N03-04P , SUP85N03-3M6P , SUP85N04-03 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
2sc1845 transistor | a933 transistor datasheet | a1633 transistor | 2sa844 | 2sc1327 | 2sc3855 | 2sc945 transistor equivalent | 2sd427




