SUP85N03-3M6P - описание и поиск аналогов

 

SUP85N03-3M6P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SUP85N03-3M6P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 67 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 680 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для SUP85N03-3M6P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SUP85N03-3M6P даташит

 ..1. Size:95K  vishay
sup85n03-3m6p.pdfpdf_icon

SUP85N03-3M6P

SUP85N03-3m6P Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.0036 at VGS = 10 V 85d TrenchFET Power MOSFET 30 67 0.0044 at VGS = 4.5 V 85d 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Power Supply - Second

 ..2. Size:873K  cn vbsemi
sup85n03-3m6p.pdfpdf_icon

SUP85N03-3M6P

SUP85N03-3M6P www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.0035 at VGS = 10 V 98 30 82 nC 0.0045 at VGS = 4.5 V 98 APPLICATIONS OR-ing TO-220AB D Server DC/DC G S G D S N-Channel MOSFET Top View

 5.1. Size:63K  1
sup85n03-07p sub85n03-07p.pdfpdf_icon

SUP85N03-3M6P

SUP/SUB85N03-07P New Product Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) 175_C MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)a 0.007 @ VGS = 10 V 85 a 30 30 0.01 @ VGS = 4.5 V 75 D TO-220AB TO-263 G DRAIN connected to TAB G D S Top View G D S S SUB85N03-07P Top View N-Channel MOSFET SUP85N03-07P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED) Parameter Symb

 5.2. Size:70K  vishay
sub85n03-04p sup85n03-04p sup85n03-04p.pdfpdf_icon

SUP85N03-3M6P

SUP/SUB85N03-04P Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) 175_C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY D TrenchFETr Power MOSFET V(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)a D 175_C Maximum Junction Temperature 0.0043 @ VGS = 10 V 85a D TO-263 (D2PAK) 100% Rg Tested 30 30 0.007 @ VGS = 4.5 V 85a D TO-220AB TO-263 (D2PAK) G DRAIN connected to TAB G D S Top View G D S S SUB85N03-04P Top View N

Другие MOSFET... SUP60N10-18P , SUP65P04-15 , SUP70N03-09BP , SUP75N03-04 , SUP75P03-07 , SUP75P05-08 , SUP85N02-03 , SUP85N03-04P , 20N60 , SUP85N04-03 , SUP85N10-10 , SUP85N10-10P , SUP85N15-21 , SUP90N03-03 , SUP90N04-3M3P , SUP90N06-5M0P , SUP90N06-6M0P .

History: UPA2521T1H

 

 

 

 

↑ Back to Top
.