Справочник MOSFET. SUP85N10-10

 

SUP85N10-10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SUP85N10-10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 665 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB

 Аналог (замена) для SUP85N10-10

 

 

SUP85N10-10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:95K  vishay
 sup85n10-10 sup85n10-10 sub85n10-10.pdf

SUP85N10-10 SUP85N10-10

SUP85N10-10, SUB85N10-10Vishay SiliconixN-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Maximum Junction Temperature0.0105 at VGS = 10 V Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC10085a0.012 at VGS = 4.5 V TO-220ABD TO-263G DRAIN connected to TAB G D S Top ViewS G D S SUB

 ..2. Size:126K  vishay
 sup85n10-10 sub85n10-10.pdf

SUP85N10-10 SUP85N10-10

SUP85N10-10, SUB85N10-10Vishay SiliconixN-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Maximum Junction Temperature0.0105 at VGS = 10 V Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC10085a0.012 at VGS = 4.5 V TO-220ABD TO-263G DRAIN connected to TAB G D S Top ViewS G D S SUB

 ..3. Size:100K  vishay
 sup85n10-10 sub85n10-10 2.pdf

SUP85N10-10 SUP85N10-10

SUP/SUB85N10-10Vishay SiliconixN-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)Available 175 C Maximum Junction Temperature0.0105 at VGS = 10 V RoHS*10085a COMPLIANT0.012 at VGS = 4.5 V TO-220ABDTO-263GDRAIN connected to TABG D STop ViewSG D SSUB85N10-10N-Channel MOSFET

 0.1. Size:168K  vishay
 sup85n10-10p.pdf

SUP85N10-10 SUP85N10-10

SUP85N10-10PVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.010 at VGS = 10 V10085d 77 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTO-220AB APPLICATIONS IndustrialD G G D S Top View

 7.1. Size:74K  vishay
 sup85n15-21.pdf

SUP85N10-10 SUP85N10-10

SUP85N15-21Vishay SiliconixN-Channel 150-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)Available 175 C Junction Temperature0.021 at VGS = 10 V 150 85RoHS*COMPLIANTAPPLICATIONS Primary Side SwitchTO-220AB DDRAIN connected to TAB GG D S Top View SOrdering Information: SUP85N15-21SUP

 7.2. Size:74K  vishay
 sup85n15-21 sup85n15.pdf

SUP85N10-10 SUP85N10-10

SUP85N15-21Vishay SiliconixN-Channel 150-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)Available 175 C Junction Temperature0.021 at VGS = 10 V 150 85RoHS*COMPLIANTAPPLICATIONS Primary Side SwitchTO-220AB DDRAIN connected to TAB GG D S Top View SOrdering Information: SUP85N15-21SUP

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top