Справочник MOSFET. SUP90N08-8M2P

 

SUP90N08-8M2P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SUP90N08-8M2P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0082 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для SUP90N08-8M2P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SUP90N08-8M2P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:180K  vishay
sup90n08-8m2p.pdfpdf_icon

SUP90N08-8M2P

SUP90N08-8m2PVishay SiliconixN-Channel 75 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ) 175 C Junction Temperature75 0.0082 at VGS = 10 V 100 % Rg and UIS Tested90d 58 Material categorization:For definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?99912TO-220AB APPLICATIONS Power S

 5.1. Size:172K  vishay
sup90n08-6m8p.pdfpdf_icon

SUP90N08-8M2P

SUP90N08-6m8PVishay SiliconixN-Channel 75-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.) 175 C Junction Temperature75 0.0068 at VGS = 10 V RoHS90d 75 100 % Rg and UIS TestedCOMPLIANT Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Power Supply- Secondary Synchronous RectificationTO-220

 5.2. Size:156K  vishay
sup90n08-4m8p.pdfpdf_icon

SUP90N08-8M2P

SUP90N08-4m8PVishay SiliconixN-Channel 75 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ) 175 C Junction TemperatureRoHSCOMPLIANT 0.0048 at VGS = 10 V 100 % UIS Tested90d75 1050.006 at VGS = 8 V Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC90dAPPLICATIONS Power Supply- Half-BridgeTO-220AB- S

 5.3. Size:176K  vishay
sup90n08-7m7p.pdfpdf_icon

SUP90N08-8M2P

SUP90N08-7m7PVishay SiliconixN-Channel 75-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSVDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0077 at VGS = 10 V75 RoHS90d 69COMPLIANTAPPLICATIONS Synchronous RectificationTO-220ABD DRAIN connected to TABG G D STop ViewS Ordering Information: SUP90N08-7m7P-E3 (Lead (P

Другие MOSFET... SUP85N15-21 , SUP90N03-03 , SUP90N04-3M3P , SUP90N06-5M0P , SUP90N06-6M0P , SUP90N08-4M8P , SUP90N08-6M8P , SUP90N08-7M7P , IRF3710 , SUP90N10-8M8P , SUP90N15-18P , SUP90P06-09L , SUU09N10-76P , SUU10P10-195 , SUV85N10-10 , SM1105NSK , SM1105NSUB .

History: VBE1638 | MMQ60R115PTH | PSMN5R0-100PS | HTJ600N06 | AUIRFSL8403 | AP99T03GP

 

 
Back to Top

 


 
.