Справочник MOSFET. MMBF0202PLT1

 

MMBF0202PLT1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MMBF0202PLT1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.225 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MMBF0202PLT1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:165K  motorola
mmbf0202plt1.pdfpdf_icon

MMBF0202PLT1

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBF0202PLT1/DMMBF0202PLT1Low rDS(Motorola Preferred Deviceon) Small-Signal MOSFETsTMOS Single P-ChannelField Effect TransistorsPCHANNELENHANCEMENTMODEPart of the GreenLine Portfolio of devices with energycon-TMOS MOSFETserving traits.rDS(on) = 1.4 OHMThese miniature surface mount MOSFETs

 ..2. Size:164K  onsemi
mmbf0202plt1.pdfpdf_icon

MMBF0202PLT1

MMBF0202PLT1Preferred DevicePower MOSFET300 mAmps, 20 VoltsP-Channel SOT-23These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assurehttp://onsemi.comminimal power loss and conserve energy, making these devices idealfor use in small power management circuitry. Typical applications are300 mAMPS, 20 VOLTSdc-dc converters, power management in portable andRDS(on) = 1.4 Wbatter

 6.1. Size:190K  motorola
mmbf0202.pdfpdf_icon

MMBF0202PLT1

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBF0202PLT1/DMMBF0202PLT1Low rDS(Motorola Preferred Deviceon) Small-Signal MOSFETsTMOS Single P-ChannelField Effect TransistorsPCHANNELENHANCEMENTMODEPart of the GreenLine Portfolio of devices with energycon-TMOS MOSFETserving traits.rDS(on) = 1.4 OHMThese miniature surface mount MOSFETs

 7.1. Size:178K  motorola
mmbf0201.pdfpdf_icon

MMBF0202PLT1

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBF0201N/DMMBF0201NLow rDS(on) Small-Signal MOSFETsMotorola Preferred DeviceTMOS Single N-ChannelField Effect TransistorsNCHANNELThese miniature surface mount MOSFETs utilize Motorolas HighENHANCEMENTMODECell Density, HDTMOS process. Low rDS(on) assures minimalTMOS MOSFETpower loss and conserves en

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: H5N5004PL-E0-E | JFAM20N50E | IRC330 | R6524KNX | AP70SL500AI | PDC3903Z | SI2301ADS-T1

 

 
Back to Top

 


 
.