MMBF0202PLT1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MMBF0202PLT1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.225 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 1 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
MMBF0202PLT1 Datasheet (PDF)
mmbf0202plt1.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBF0202PLT1/DMMBF0202PLT1Low rDS(Motorola Preferred Deviceon) Small-Signal MOSFETsTMOS Single P-ChannelField Effect TransistorsPCHANNELENHANCEMENTMODEPart of the GreenLine Portfolio of devices with energycon-TMOS MOSFETserving traits.rDS(on) = 1.4 OHMThese miniature surface mount MOSFETs
mmbf0202plt1.pdf

MMBF0202PLT1Preferred DevicePower MOSFET300 mAmps, 20 VoltsP-Channel SOT-23These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assurehttp://onsemi.comminimal power loss and conserve energy, making these devices idealfor use in small power management circuitry. Typical applications are300 mAMPS, 20 VOLTSdc-dc converters, power management in portable andRDS(on) = 1.4 Wbatter
mmbf0202.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBF0202PLT1/DMMBF0202PLT1Low rDS(Motorola Preferred Deviceon) Small-Signal MOSFETsTMOS Single P-ChannelField Effect TransistorsPCHANNELENHANCEMENTMODEPart of the GreenLine Portfolio of devices with energycon-TMOS MOSFETserving traits.rDS(on) = 1.4 OHMThese miniature surface mount MOSFETs
mmbf0201.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBF0201N/DMMBF0201NLow rDS(on) Small-Signal MOSFETsMotorola Preferred DeviceTMOS Single N-ChannelField Effect TransistorsNCHANNELThese miniature surface mount MOSFETs utilize Motorolas HighENHANCEMENTMODECell Density, HDTMOS process. Low rDS(on) assures minimalTMOS MOSFETpower loss and conserves en
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: H5N5004PL-E0-E | JFAM20N50E | IRC330 | R6524KNX | AP70SL500AI | PDC3903Z | SI2301ADS-T1
History: H5N5004PL-E0-E | JFAM20N50E | IRC330 | R6524KNX | AP70SL500AI | PDC3903Z | SI2301ADS-T1



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
transistor 2sc5200 | 2sb560 transistor | a1273 | c3421 transistor | c644 transistor | fgpf4536 datasheet | p20nm60fp datasheet | 2sc1943