MMFT2406T1 - аналоги и даташиты транзистора

 

MMFT2406T1 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MMFT2406T1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 240 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
 

 Аналог (замена) для MMFT2406T1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMFT2406T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:125K  onsemi
 mmft2406t1.pdf pdf_icon

MMFT2406T1

MMFT2406T1Power MOSFET700 mA, 240 V, N-Channel, SOT-223This Power MOSFET is designed for high speed, low loss powerswitching applications such as switching regulators, converters,solenoid and relay drivers. The device is housed in the SOT-223http://onsemi.compackage which is designed for medium power surface mountapplications. 700 mA, 240 V Silicon Gate for Fast Switching S

 0.1. Size:90K  motorola
 mmft2406t1rev1dx.pdf pdf_icon

MMFT2406T1

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMFT2406T1/DMMFT2406T1Medium Power Field EffectMotorola Preferred DeviceTransistorNChannel Enhancement ModeMEDIUM POWERSilicon Gate TMOS EFETTMOS FETSOT223 for Surface Mount700 mA240 VOLTSThis TMOS medium power field effect transistor is designed forRDS(on) = 6.0 OHMhigh speed, low loss power

 9.1. Size:250K  motorola
 mmft2n02el.pdf pdf_icon

MMFT2406T1

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMFT2N02EL/DMedium Power Field Effect TransistorMMFT2N02ELNChannel Enhancement ModeMotorola Preferred DeviceSilicon Gate TMOS EFETtSOT223 for Surface MountMEDIUM POWERThis advanced EFET is a TMOS Medium Power MOSFETLOGIC LEVEL TMOS FETdesigned to withstand high energy in the avalanche and commuta-1

 9.2. Size:248K  motorola
 mmft2955e.pdf pdf_icon

MMFT2406T1

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMFT2955E/DMedium Power Field Effect TransistorMMFT2955EPChannel Enhancement ModeMotorola Preferred DeviceSilicon Gate TMOS EFETtSOT223 for Surface MountTMOS MEDIUM POWER FETThis advanced EFET is a TMOS medium power MOSFET1.2 AMPdesigned to withstand high energy in the avalanche and commuta-60 VOLT

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MMF60R580PTH , MMF60R750PTH , MMF65R190PTH , MMF70R600PTH , MMF70R900PTH , MMF80R1K2PTH , MMF80R900PTH , MMFT107T1 , STP65NF06 , MMFT2955ET1 , MMFT2N02ELT1 , MMFT5P03HDT1 , MMFT60R115PCTH , MMFT60R195PTH , MMFT60R290PCTH , MMFT60R290PTH , MMFT60R380PCTH .

History: HM3422A | PHX23NQ10T

 

 
Back to Top

 


 
.