MMFT60R195PTH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MMFT60R195PTH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 73 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.195 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для MMFT60R195PTH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMFT60R195PTH даташит

 ..1. Size:1413K  magnachip
 mmft60r195pth.pdf pdf_icon

MMFT60R195PTH

MMFT60R195P Datasheet MMFT60R195P 600V 0.195 N-channel MOSFET Description MMFT60R195P is power MOSFET using magnachip s advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling technology. These user friendly devices give an advantage of Low EMI to designers as well

 ..2. Size:279K  inchange semiconductor
 mmft60r195pth.pdf pdf_icon

MMFT60R195PTH

isc N-Channel MOSFET Transistor MMFT60R195PTH FEATURES Drain Current I = 20A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.195 (Max) @V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and

 3.1. Size:1295K  magnachip
 mmft60r195pcth.pdf pdf_icon

MMFT60R195PTH

MMFT60R195PC Datasheet MMFT60R195PC 600V 0.195 N-channel MOSFET Description MMFT60R195PC is power MOSFET using Magnachip s advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling technology. These user friendly devices give an advantage of Low EMI to designers as we

 3.2. Size:279K  inchange semiconductor
 mmft60r195pcth.pdf pdf_icon

MMFT60R195PTH

isc N-Channel MOSFET Transistor MMFT60R195PCTH FEATURES Drain Current I = 20A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.195 (Max) @V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MMF80R1K2PTH, MMF80R900PTH, MMFT107T1, MMFT2406T1, MMFT2955ET1, MMFT2N02ELT1, MMFT5P03HDT1, MMFT60R115PCTH, AO4468, MMFT60R290PCTH, MMFT60R290PTH, MMFT60R380PCTH, MMFT60R380PTH, MMFT65R195PTH, MMFT70R380PTH, MMFTP84, MMIS60R580PTH