MMIX1F132N50P3 - аналоги и даташиты транзистора

 

MMIX1F132N50P3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MMIX1F132N50P3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 520 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 63 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1750 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.043 Ohm
   Тип корпуса: ISOLATED TAB
 

 Аналог (замена) для MMIX1F132N50P3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMIX1F132N50P3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:182K  ixys
 mmix1f132n50p3.pdf pdf_icon

MMIX1F132N50P3

Advance Technical InformationPolar3TM HiPerFETTM VDSS = 500VMMIX1F132N50P3Power MOSFET ID25 = 63A RDS(on) 43m (Electrically Isolated Tab) trr 250nsDN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedGFast Intrinsic RectifierSSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 V Isolated TabVDGR TJ =

 7.1. Size:183K  ixys
 mmix1f180n25t.pdf pdf_icon

MMIX1F132N50P3

Advance Technical InformationGigaMOSTM TrenchTMVDSS = 250VMMIX1F180N25THiperFETTMID25 = 130A Power MOSFET RDS(on) 13m trr 200ns(Electrically Isolated Tab)DN-Channel Enhancement ModeGAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSSymbol Test Conditions Maximum Ratings Isolated TabVDSS TJ = 25C to 150C 250 VV

 7.2. Size:183K  ixys
 mmix1f160n30t.pdf pdf_icon

MMIX1F132N50P3

Advance Technical InformationGigaMOSTM TrenchTMVDSS = 300VMMIX1F160N30THiperFETTMID25 = 102A Power MOSFET RDS(on) 20m trr 200ns(Electrically Isolated Tab)DN-Channel Enhancement ModeGAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSSymbol Test Conditions Maximum Ratings Isolated TabVDSS TJ = 25C to 150C 300 VV

 8.1. Size:225K  ixys
 mmix1f420n10t.pdf pdf_icon

MMIX1F132N50P3

Advance Technical InformationGigaMOSTM TrenchTMVDSS = 100VMMIX1F420N10THiperFETTMID25 = 334A Power MOSFET RDS(on) 2.6m Trr 140ns(Electrically Isolated Tab)DN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedGFast Intrinsic DiodeSSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C 100 V Isolated Tab

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MMFT70R380PTH , MMFTP84 , MMIS60R580PTH , MMIS60R750PTH , MMIS60R900PTH , MMIS70H900QTH , MMIS70R1K4PTH , MMIS70R900PTH , IRFP260N , MMIX1F160N30T , MMIX1F180N25T , MMIX1F210N30P3 , MMIX1F230N20T , MMIX1F360N15T2 , MMIX1F40N110P , MMIX1F420N10T , MMIX1F44N100Q3 .

History: B4N65 | WMLL020N08HGS

 

 
Back to Top

 


 
.