MMIX1F160N30T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MMIX1F160N30T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 570 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 102 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1770 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: ISOLATED TAB

Аналог (замена) для MMIX1F160N30T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMIX1F160N30T даташит

 ..1. Size:183K  ixys
 mmix1f160n30t.pdf pdf_icon

MMIX1F160N30T

Advance Technical Information GigaMOSTM TrenchTM VDSS = 300V MMIX1F160N30T HiperFETTM ID25 = 102A Power MOSFET RDS(on) 20m trr 200ns (Electrically Isolated Tab) D N-Channel Enhancement Mode G Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode S Symbol Test Conditions Maximum Ratings Isolated Tab VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V V

 7.1. Size:182K  ixys
 mmix1f132n50p3.pdf pdf_icon

MMIX1F160N30T

Advance Technical Information Polar3TM HiPerFETTM VDSS = 500V MMIX1F132N50P3 Power MOSFET ID25 = 63A RDS(on) 43m (Electrically Isolated Tab) trr 250ns D N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated G Fast Intrinsic Rectifier S Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V Isolated Tab VDGR TJ =

 7.2. Size:183K  ixys
 mmix1f180n25t.pdf pdf_icon

MMIX1F160N30T

Advance Technical Information GigaMOSTM TrenchTM VDSS = 250V MMIX1F180N25T HiperFETTM ID25 = 130A Power MOSFET RDS(on) 13m trr 200ns (Electrically Isolated Tab) D N-Channel Enhancement Mode G Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode S Symbol Test Conditions Maximum Ratings Isolated Tab VDSS TJ = 25 C to 150 C 250 V V

 8.1. Size:225K  ixys
 mmix1f420n10t.pdf pdf_icon

MMIX1F160N30T

Advance Technical Information GigaMOSTM TrenchTM VDSS = 100V MMIX1F420N10T HiperFETTM ID25 = 334A Power MOSFET RDS(on) 2.6m Trr 140ns (Electrically Isolated Tab) D N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated G Fast Intrinsic Diode S Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 V Isolated Tab

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MMFTP84, MMIS60R580PTH, MMIS60R750PTH, MMIS60R900PTH, MMIS70H900QTH, MMIS70R1K4PTH, MMIS70R900PTH, MMIX1F132N50P3, IRFB4110, MMIX1F180N25T, MMIX1F210N30P3, MMIX1F230N20T, MMIX1F360N15T2, MMIX1F40N110P, MMIX1F420N10T, MMIX1F44N100Q3, MML60R190PTH