MMN35N03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MMN35N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 277.66 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для MMN35N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMN35N03 даташит

 ..1. Size:394K  m-mos
 mmn35n03.pdf pdf_icon

MMN35N03

MMN35N03 Package Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 25V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@30A = 9m RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@30A = 13m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Fully Characterized Avalanche Voltage and Current TO-252 (D-PAK) Internal Schematic Diagram Top View N-Channe

Другие IGBT... MML60R290PTH, MML65R190PTH, MMN2302, MMN2312, MMN25N03, MMN3205, MMN3220, MMN3400, 2SK3878, MMN404, MMN4307, MMN4326, MMN4336, MMN4338, MMN4364DY, MMN4410, MMN4414