Справочник MOSFET. MMN35N03

 

MMN35N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MMN35N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 277.66 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для MMN35N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMN35N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:394K  m-mos
 mmn35n03.pdf pdf_icon

MMN35N03

MMN35N03Package Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong LimitedN-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 25VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@30A = 9mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@30A = 13mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceFully Characterized Avalanche Voltage and CurrentTO-252 (D-PAK) Internal Schematic DiagramTop View N-Channe

Другие MOSFET... MML60R290PTH , MML65R190PTH , MMN2302 , MMN2312 , MMN25N03 , MMN3205 , MMN3220 , MMN3400 , IRFP260 , MMN404 , MMN4307 , MMN4326 , MMN4336 , MMN4338 , MMN4364DY , MMN4410 , MMN4414 .

History: STF3HNK90Z | NTD5804NT4G | PMT200EPE | SM4500NHKP | SFF250ZDB | AFN1330S | SPB07N60S5

 

 
Back to Top

 


 
.