Справочник MOSFET. MMN35N03

 

MMN35N03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MMN35N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 56 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 25 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 35 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 10.26 nC
   Время нарастания (tr): 4.16 ns
   Выходная емкость (Cd): 277.66 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для MMN35N03

 

 

MMN35N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:394K  m-mos
 mmn35n03.pdf

MMN35N03 MMN35N03

MMN35N03Package Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong LimitedN-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 25VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@30A = 9mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@30A = 13mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceFully Characterized Avalanche Voltage and CurrentTO-252 (D-PAK) Internal Schematic DiagramTop View N-Channe

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top