Справочник MOSFET. MMN35N03

 

MMN35N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MMN35N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4.16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 277.66 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MMN35N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:394K  m-mos
 mmn35n03.pdf pdf_icon

MMN35N03

MMN35N03Package Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong LimitedN-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 25VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@30A = 9mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@30A = 13mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceFully Characterized Avalanche Voltage and CurrentTO-252 (D-PAK) Internal Schematic DiagramTop View N-Channe

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: SSF10N60 | CHM8811JGP | IXTK120P20T | WMK072N12LG2 | ISCNH363N | WMJ25N50C4 | SRT15N059HS2

 

 
Back to Top

 


 
.