MMN404. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MMN404

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для MMN404

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMN404 даташит

 ..1. Size:147K  m-mos
mmn404.pdfpdf_icon

MMN404

MMN404 Preliminary Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 30V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@20A = 7m RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@20A = 8m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Fully Characterized Avalanche Voltage and Current D-PAK Internal Schematic Diagram Drain Gate Source

 9.1. Size:525K  macmic
mmn400a010u1.pdfpdf_icon

MMN404

MMN400A010U1 100V 400A N-ch Power MOSFET Module August 2016 Preliminary RoHS Compliant PRODUCT FEATURES RDS(ON).typ=1.1m @VGS=10V 175 operating temperature Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery body Diode 20K Gate Protected Resistance Inside Inside the module,each MOSFET chip has a gate resistance 2.2 APPLICATIONS High efficiency

 9.2. Size:618K  macmic
mmn400a006u1.pdfpdf_icon

MMN404

MMN400A006U1 60V 400A N-ch Power MOSFET Module August 2016 Preliminary RoHS Compliant PRODUCT FEATURES RDS(ON).typ=0.35m @VGS=10V 175 operating temperature Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery body Diode 20K Gate Protected Resistance Inside Inside the module,each MOSFET chip has a gate resistance 2.2 APPLICATIONS High efficiency

Другие IGBT... MML65R190PTH, MMN2302, MMN2312, MMN25N03, MMN3205, MMN3220, MMN3400, MMN35N03, STP75NF75, MMN4307, MMN4326, MMN4336, MMN4338, MMN4364DY, MMN4410, MMN4414, MMN4418