Справочник MOSFET. MMN4307

 

MMN4307 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MMN4307
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15.24 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4.68 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 322.62 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0078 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8

 Аналог (замена) для MMN4307

 

 

MMN4307 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:160K  m-mos
 mmn4307.pdf

MMN4307 MMN4307

MMN4307Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 30VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@14A = 7.8mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@14A = 11.5mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceImproved Shoot-Through FOMSOP-08 Internal Schematic DiagramDrain Gate Source Top View N-Channel MOSFET

 9.1. Size:185K  m-mos
 mmn4364dy.pdf

MMN4307 MMN4307

MMN4364DYPreliminary Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 30VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@20A = 5.5mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@19A = 6.5mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceFully Characterized Avalanche Voltage and CurrentSO-8 Internal Schematic DiagramDrain Gate

 9.2. Size:218K  m-mos
 mmn4338.pdf

MMN4307 MMN4307

MMN4338Preliminary Package Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 30VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@4.9A = 42mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@4.1A = 65mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOP-08 Internal Schematic DiagramDrain Gate Source Top View N-Channel MOSFETMaximum

 9.3. Size:292K  m-mos
 mmn4326.pdf

MMN4307 MMN4307

MMN4326Package Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 30VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@8.5A = 41mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@8.5A = 45mRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@5.0A = 59mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOP-08 Internal Schematic DiagramDrain Gate Source Top View

 9.4. Size:201K  m-mos
 mmn4336.pdf

MMN4307 MMN4307

MMN4336Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 30VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@25A = 3.6mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@22A = 4.8mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceFully Characterized Avalanche Voltage and CurrentSOP-08 Internal Schematic DiagramDrain Gate Source Top

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top