MMN4410 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MMN4410
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 7.3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 376.8 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
Аналог (замена) для MMN4410
MMN4410 Datasheet (PDF)
mmn4410.pdf

MMN4410Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 30VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@18A = 5.5mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@15A = 6.2mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceImproved Shoot-Through FOMSOP-08 Internal Schematic DiagramDrain Gate Source Top View N-Channel MOSFET
mmn4414.pdf

MMN4414Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 30VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@5.8A = 26mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@5A = 40mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOP-08 Internal Schematic DiagramDrain Gate Source Top View N-Channel MOSFETMaximum Ratings and Thermal C
mmn4418.pdf

MMN4418Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 30VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@10A = 17mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@5A = 50mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceFully Characterized Avalanche Voltage and CurrentSO-8 Internal Schematic DiagramDrain Gate Source Top View
mmn4422.pdf

MMN4422Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 30VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@11A = 15mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@9A = 24mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceImproved Shoot-Through FOMSOP-08 Internal Schematic DiagramDrain Gate Source Top View N-Channel MOSFETMa
Другие MOSFET... MMN3400 , MMN35N03 , MMN404 , MMN4307 , MMN4326 , MMN4336 , MMN4338 , MMN4364DY , SPP20N60C3 , MMN4414 , MMN4418 , MMN4422 , MMN4430 , MMN4444 , MMN4446 , MMN45N03 , MMN4818 .
History: 2SK1512-01 | 2SK3153 | VBE2305 | AM8881 | RJK0654DPB | 2SK2943 | GP2M008A060XGX
History: 2SK1512-01 | 2SK3153 | VBE2305 | AM8881 | RJK0654DPB | 2SK2943 | GP2M008A060XGX



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
se9302 transistor | fr5305 datasheet | y2 transistor | 40n06 | bc108b | oc84 | c6090 | ksa1015yta