Справочник MOSFET. MMN4410

 

MMN4410 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MMN4410
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 376.8 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMN4410 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:198K  m-mos
 mmn4410.pdf pdf_icon

MMN4410

MMN4410Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 30VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@18A = 5.5mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@15A = 6.2mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceImproved Shoot-Through FOMSOP-08 Internal Schematic DiagramDrain Gate Source Top View N-Channel MOSFET

 8.1. Size:205K  m-mos
 mmn4414.pdf pdf_icon

MMN4410

MMN4414Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 30VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@5.8A = 26mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@5A = 40mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOP-08 Internal Schematic DiagramDrain Gate Source Top View N-Channel MOSFETMaximum Ratings and Thermal C

 8.2. Size:190K  m-mos
 mmn4418.pdf pdf_icon

MMN4410

MMN4418Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 30VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@10A = 17mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@5A = 50mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceFully Characterized Avalanche Voltage and CurrentSO-8 Internal Schematic DiagramDrain Gate Source Top View

 9.1. Size:162K  m-mos
 mmn4422.pdf pdf_icon

MMN4410

MMN4422Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 30VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@11A = 15mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@9A = 24mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceImproved Shoot-Through FOMSOP-08 Internal Schematic DiagramDrain Gate Source Top View N-Channel MOSFETMa

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MMN3400 , MMN35N03 , MMN404 , MMN4307 , MMN4326 , MMN4336 , MMN4338 , MMN4364DY , SPP20N60C3 , MMN4414 , MMN4418 , MMN4422 , MMN4430 , MMN4444 , MMN4446 , MMN45N03 , MMN4818 .

 

 
Back to Top

 


 
.