MMN4422. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MMN4422

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 159.6 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для MMN4422

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMN4422 даташит

 ..1. Size:162K  m-mos
 mmn4422.pdf pdf_icon

MMN4422

MMN4422 Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 30V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@11A = 15m RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@9A = 24m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Improved Shoot-Through FOM SOP-08 Internal Schematic Diagram Drain Gate Source Top View N-Channel MOSFET Ma

 9.1. Size:149K  m-mos
 mmn4446.pdf pdf_icon

MMN4422

MMN4446 Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 30V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@15A = 9m RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@11A = 15m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Fully Characterized Avalanche Voltage and Current SO-8 Internal Schematic Diagram Drain Gate Source Top View

 9.2. Size:205K  m-mos
 mmn4414.pdf pdf_icon

MMN4422

MMN4414 Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 30V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@5.8A = 26m RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@5A = 40m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance SOP-08 Internal Schematic Diagram Drain Gate Source Top View N-Channel MOSFET Maximum Ratings and Thermal C

 9.3. Size:201K  m-mos
 mmn4444.pdf pdf_icon

MMN4422

MMN4444 Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 30V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@20A = 5.5m RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@15A = 7.0m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Fully Characterized Avalanche Voltage and Current SOP-08 Internal Schematic Diagram Drain Gate Source Top

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MMN4307, MMN4326, MMN4336, MMN4338, MMN4364DY, MMN4410, MMN4414, MMN4418, SPP20N60C3, MMN4430, MMN4444, MMN4446, MMN45N03, MMN4818, MMN4942DY, MMN4946BEY, MMN55N03