Справочник MOSFET. MMN75N03

 

MMN75N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MMN75N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 736.37 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для MMN75N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMN75N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:184K  m-mos
 mmn75n03.pdf pdf_icon

MMN75N03

MMN75N03Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited25V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 25VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@20A = 4.5mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@20A = 6.5mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceFully Characterized Avalanche Voltage and CurrentDPAK Internal Schematic DiagramDrain Gate Source Top

Другие MOSFET... MMN4946BEY , MMN55N03 , MMN60NF06 , MMN65N03 , MMN6680 , MMN6968E , MMN7230 , MMN7402 , IRF1407 , MMN8205 , MMN8218 , MMN8220 , MMN8804 , MMN8818E , MMN8818N , MMN8822 , MMN9926 .

 

 
Back to Top

 


 
.