MMN75N03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MMN75N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 736.37 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для MMN75N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMN75N03 даташит

 ..1. Size:184K  m-mos
 mmn75n03.pdf pdf_icon

MMN75N03

MMN75N03 Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 25V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 25V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@20A = 4.5m RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@20A = 6.5m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Fully Characterized Avalanche Voltage and Current DPAK Internal Schematic Diagram Drain Gate Source Top

Другие IGBT... MMN4946BEY, MMN55N03, MMN60NF06, MMN65N03, MMN6680, MMN6968E, MMN7230, MMN7402, IRFP450, MMN8205, MMN8218, MMN8220, MMN8804, MMN8818E, MMN8818N, MMN8822, MMN9926