Справочник MOSFET. MMN8822

 

MMN8822 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MMN8822
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.19 nC
   trⓘ - Время нарастания: 6.03 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 126.53 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: SO-8 TSSOP-8

 Аналог (замена) для MMN8822

 

 

MMN8822 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:154K  m-mos
 mmn8822.pdf

MMN8822 MMN8822

MMN8822Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 20VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@7A = 21mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@6.6A = 24mRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@5.5A = 32mRDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@2A = 50mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceIdeal for Li ion battery pack application

 9.1. Size:204K  m-mos
 mmn8804.pdf

MMN8822 MMN8822

MMN8804Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 20V ID= 8A ESD Protected Gate: 2000VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@8A = 13mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@5A = 14mRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@4A = 19mRDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@3A = 27mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceHigh Po

 9.2. Size:204K  m-mos
 mmn8818e.pdf

MMN8822 MMN8822

MMN8818EData SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 30V ID= 7A ESD Protected Geat: 2000VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@7A = 18mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@5A = 20mRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@4A = 27mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceHigh Power and Current handing capability

 9.3. Size:161K  m-mos
 mmn8818n.pdf

MMN8822 MMN8822

MMN8818NPackage Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 30V ID= 7A ESD Protected Gate: 2000VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@7A = 18mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@5A = 20mRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@4A = 27mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceHigh Power and Current handing cap

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top