MMP4357. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MMP4357

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 52.525 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для MMP4357

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMP4357 даташит

 ..1. Size:241K  m-mos
 mmp4357.pdf pdf_icon

MMP4357

MMP4357 Package Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= -30V RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-5.3A =75m RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.2A =105m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance SOP-08 Internal Schematic Diagram Top View P-Channel MOSFET Maximum Ratings and Thermal Characteris

 8.1. Size:230K  m-mos
 mmp4353.pdf pdf_icon

MMP4357

MMP4353 Package Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 30 P-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= -30V RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.0 = 75m RDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-1.0A = 119m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance S0-8 Internal Schematic Diagram Top View P-Channel MOSFET Maximum Ratings and Thermal Characterist

 9.1. Size:155K  m-mos
 mmp4383.pdf pdf_icon

MMP4357

MMP4383 Package Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 30V P- Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= -30V RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-3.9A = 85m RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-3.0A = 130m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance SOP-08 Internal Schematic Diagram Top View P-Channel MOSFET Maximum Ratings and Thermal Characte

 9.2. Size:150K  m-mos
 mmp4399.pdf pdf_icon

MMP4357

MMP4399 Preliminary Package Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 30V P- Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= -30V RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-3.9A = 150m RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-3.0A = 200m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Improved Shoot-Through FOM SOP-08 Internal Schematic Diagram Top View P-Channel MOS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MMN9926E, MMP2301, MMP2311, MMP2323, MMP3401, MMP3415E, MMP3443, MMP4353, IRFZ24N, MMP4383, MMP4399, MMP4407, MMP4411, MMP4411DY, MMP4415A, MMP4425, MMP4425DY