Справочник MOSFET. MMP4357

 

MMP4357 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MMP4357
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 52.525 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для MMP4357

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMP4357 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:241K  m-mos
 mmp4357.pdf pdf_icon

MMP4357

MMP4357Package Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -30VRDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-5.3A =75mRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.2A =105mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOP-08 Internal Schematic DiagramTop View P-Channel MOSFETMaximum Ratings and Thermal Characteris

 8.1. Size:230K  m-mos
 mmp4353.pdf pdf_icon

MMP4357

MMP4353Package Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30 P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -30VRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.0 = 75mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-1.0A = 119mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceS0-8 Internal Schematic DiagramTop View P-Channel MOSFETMaximum Ratings and Thermal Characterist

 9.1. Size:155K  m-mos
 mmp4383.pdf pdf_icon

MMP4357

MMP4383Package Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V P- Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -30VRDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-3.9A = 85mRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-3.0A = 130mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOP-08 Internal Schematic DiagramTop View P-Channel MOSFETMaximum Ratings and Thermal Characte

 9.2. Size:150K  m-mos
 mmp4399.pdf pdf_icon

MMP4357

MMP4399Preliminary Package Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V P- Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -30VRDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-3.9A = 150mRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-3.0A = 200mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceImproved Shoot-Through FOMSOP-08 Internal Schematic DiagramTop View P-Channel MOS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MMN9926E , MMP2301 , MMP2311 , MMP2323 , MMP3401 , MMP3415E , MMP3443 , MMP4353 , AON6380 , MMP4383 , MMP4399 , MMP4407 , MMP4411 , MMP4411DY , MMP4415A , MMP4425 , MMP4425DY .

History: 2SK2084STL-E | TSF840MR

 

 
Back to Top

 


 
.