IXTH40N30. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXTH40N30

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для IXTH40N30

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTH40N30 даташит

 ..1. Size:107K  ixys
 ixth35n30 ixth40n30 ixtm40n30.pdf pdf_icon

IXTH40N30

VDSS ID25 RDS(on) MegaMOSTMFET IXTH 35N30 300 V 35 A 0.10 IXTH 40N30 300 V 40 A 0.085 IXTM 40N30 300 V 40 A 0.088 N-Channel Enhancement Mode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 300 V VGS Continuous 20 V D (TAB) VGSM Tra

 ..2. Size:55K  ixys
 ixth35n30 ixtm35n30 ixth40n30 ixtm40n30.pdf pdf_icon

IXTH40N30

VDSS ID25 RDS(on) IXTH/IXTM 35 N30 300 V 35 A 0.10 MegaMOSTMFET IXTH 40 N30 300 V 40 A 0.085 IXTM 40 N30 300 V 40 A 0.088 N-Channel Enhancement Mode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 300 V VGS Continuous 20 V VGSM Tra

 7.1. Size:211K  inchange semiconductor
 ixth40n50l2.pdf pdf_icon

IXTH40N30

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IXTH40N50L2 FEATURES With TO-247 packaging High speed switching Very high commutation ruggedness Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS PFC stages Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

 9.1. Size:113K  ixys
 ixth48n65x2.pdf pdf_icon

IXTH40N30

Advance Technical Information X2-Class VDSS = 650V IXTH48N65X2 Power MOSFET ID25 = 48A RDS(on) 68m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-247 G D Symbol Test Conditions Maximum Ratings S D (Tab) VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V G = Gate D = Drain VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 650 V S = Source Tab = Drain VGSS Continu

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXTH33N45, IXTH35N25MA, IXTH35N25MB, IXTH35N30, IXTH39N08MA, IXTH39N08MB, IXTH39N10MA, IXTH39N10MB, AON7408, IXTH42N15MA, IXTH42N15MB, IXTH42N20, IXTH42N20MA, IXTH42N20MB, IXTH50N20, IXTH5N100, IXTH5N100A