Справочник MOSFET. MMP6463

 

MMP6463 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MMP6463
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 67.8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 17.96 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 634.36 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8

 Аналог (замена) для MMP6463

 

 

MMP6463 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:149K  m-mos
 mmp6463.pdf

MMP6463 MMP6463

MMP6463Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -20VRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-7.4A = 15.0mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-6.3A = 20.0mRDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-5.5A = 27.0mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceIdeal for battery multiplexing applicationsTSSOP-8 Internal

 8.1. Size:148K  m-mos
 mmp6465.pdf

MMP6463 MMP6463

MMP6465 Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited12V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -12VRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-8.8A = 12mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-7.4A = 17mRDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-6.0A = 25mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceIdeal for battery multiplexing applicationsTSSOP-8 Internal Sche

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top