Справочник MOSFET. MMP6463

 

MMP6463 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MMP6463
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17.96 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 634.36 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8
 

 Аналог (замена) для MMP6463

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMP6463 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:149K  m-mos
 mmp6463.pdf pdf_icon

MMP6463

MMP6463Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -20VRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-7.4A = 15.0mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-6.3A = 20.0mRDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-5.5A = 27.0mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceIdeal for battery multiplexing applicationsTSSOP-8 Internal

 8.1. Size:148K  m-mos
 mmp6465.pdf pdf_icon

MMP6463

MMP6465 Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited12V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -12VRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-8.8A = 12mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-7.4A = 17mRDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-6.0A = 25mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceIdeal for battery multiplexing applicationsTSSOP-8 Internal Sche

Другие MOSFET... MMP4435BDY , MMP60R190PTH , MMP60R195PCTH , MMP60R290PCTH , MMP60R290PTH , MMP60R360PTH , MMP60R580PTH , MMP60R750PTH , IRF9640 , MMP6465 , MMP65R190PTH , MMP6965 , MMP6967 , MMP6975 , MMP7245 , MMP7277 , MMP7401 .

History: AP01N60J | IPAN60R280PFD7S | OSG80R380PF | IRFNJZ48 | PDN2312S | BUZ54A | PDN2309S

 

 
Back to Top

 


 
.