Справочник MOSFET. MMP9435BDY

 

MMP9435BDY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MMP9435BDY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 235.1 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для MMP9435BDY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMP9435BDY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:202K  m-mos
 mmp9435bdy.pdf pdf_icon

MMP9435BDY

MMP9435BDYData SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V P- Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -30VRDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-5.7A = 42mRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.4A = 70mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceImproved Shoot-Through FOMSOP-08 Internal Schematic DiagramTop View P-Channel MOSFETMaximum Rating

 7.1. Size:209K  m-mos
 mmp9435.pdf pdf_icon

MMP9435BDY

MMP9435Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -30VRDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-5.3A = 60mRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.2A = 90mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceImproved Shoot-Through FOMSOP-08 Internal Schematic DiagramTop View P-Channel MOSFETMaximum Ratings an

Другие MOSFET... MMP65R190PTH , MMP6965 , MMP6967 , MMP6975 , MMP7245 , MMP7277 , MMP7401 , MMP9435 , IRFZ44N , MMP9567 , MMQ60R070PTH , MMQ60R115PCTH , MMQ60R115PTH , MMQ60R190PTH , MMSF3P02HDR2 , MMSF7P03HDR2 , SM2A06NSU .

History: SVF25NE50PN | IPA032N06N3 | STD4NK50Z-1 | DM5N65E | IRFP450B | IRF840LCLPBF | HCS70R710ST

 

 
Back to Top

 


 
.