Справочник MOSFET. MMP9435BDY

 

MMP9435BDY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MMP9435BDY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.7 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 18.3 nC
   Время нарастания (tr): 8.5 ns
   Выходная емкость (Cd): 235.1 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.042 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8

 Аналог (замена) для MMP9435BDY

 

 

MMP9435BDY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:202K  m-mos
mmp9435bdy.pdf

MMP9435BDY
MMP9435BDY

MMP9435BDYData SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V P- Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -30VRDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-5.7A = 42mRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.4A = 70mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceImproved Shoot-Through FOMSOP-08 Internal Schematic DiagramTop View P-Channel MOSFETMaximum Rating

 7.1. Size:209K  m-mos
mmp9435.pdf

MMP9435BDY
MMP9435BDY

MMP9435Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -30VRDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-5.3A = 60mRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.2A = 90mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceImproved Shoot-Through FOMSOP-08 Internal Schematic DiagramTop View P-Channel MOSFETMaximum Ratings an

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top