MMP9435BDY. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MMP9435BDY

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 235.1 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для MMP9435BDY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMP9435BDY даташит

 ..1. Size:202K  m-mos
 mmp9435bdy.pdf pdf_icon

MMP9435BDY

MMP9435BDY Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 30V P- Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= -30V RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-5.7A = 42m RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.4A = 70m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Improved Shoot-Through FOM SOP-08 Internal Schematic Diagram Top View P-Channel MOSFET Maximum Rating

 7.1. Size:209K  m-mos
 mmp9435.pdf pdf_icon

MMP9435BDY

MMP9435 Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= -30V RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-5.3A = 60m RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.2A = 90m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Improved Shoot-Through FOM SOP-08 Internal Schematic Diagram Top View P-Channel MOSFET Maximum Ratings an

Другие IGBT... MMP65R190PTH, MMP6965, MMP6967, MMP6975, MMP7245, MMP7277, MMP7401, MMP9435, IRFZ44N, MMP9567, MMQ60R070PTH, MMQ60R115PCTH, MMQ60R115PTH, MMQ60R190PTH, MMSF3P02HDR2, MMSF7P03HDR2, SM2A06NSU