VN0104ND - описание и поиск аналогов

 

VN0104ND. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VN0104ND

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: DICE

Аналог (замена) для VN0104ND

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VN0104ND даташит

 8.1. Size:588K  supertex
vn0104.pdfpdf_icon

VN0104ND

Supertex inc. VN0104 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex s well-proven, silicon- Low power drive requirement gate manufacturing process. This combination produces a Ease of paralleling device with the power

 9.1. Size:51K  njs
zvn0106a.pdfpdf_icon

VN0104ND

 9.2. Size:587K  supertex
vn0106.pdfpdf_icon

VN0104ND

Supertex inc. VN0106 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex s well-proven, silicon- Low power drive requirement gate manufacturing process. This combination produces a Ease of paralleling device with the power

Другие MOSFET... VEC2315 , VEC2616 , VN0104N2 , VN0104N3 , VN0104N5 , VN0104N6 , VN0104N7 , VN0104N9 , IRF540 , VN0106N2 , VN0106N3 , VN0106N5 , VN0106N6 , VN0106N7 , VN0106N9 , VN0106ND , VN0109N2 .

History: 2P50L-TN3-R | VN0606 | AOB12N50L | SM1A33PSU | 2SK4090-ZK-E2-AY | 2SK4195LS | SPN3400S23RG

 

 

 

 

↑ Back to Top
.