Справочник MOSFET. VN0106N2

 

VN0106N2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VN0106N2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO-39
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

VN0106N2 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:51K  njs
zvn0106a.pdfpdf_icon

VN0106N2

 8.2. Size:587K  supertex
vn0106.pdfpdf_icon

VN0106N2

Supertex inc. VN0106N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven, silicon- Low power drive requirementgate manufacturing process. This combination produces a Ease of parallelingdevice with the power

 9.1. Size:588K  supertex
vn0104.pdfpdf_icon

VN0106N2

Supertex inc. VN0104N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven, silicon- Low power drive requirementgate manufacturing process. This combination produces a Ease of parallelingdevice with the power

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: HM4441 | AUIRFZ34N | IRLML9301TRPBF | RU7550S | STT3962NE | STP20NM60FP | 2N6760JANTXV

 

 
Back to Top

 


 
.