VN0106N9 - описание и поиск аналогов

 

VN0106N9. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VN0106N9

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: TO-52

Аналог (замена) для VN0106N9

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VN0106N9 даташит

 8.1. Size:51K  njs
zvn0106a.pdfpdf_icon

VN0106N9

 8.2. Size:587K  supertex
vn0106.pdfpdf_icon

VN0106N9

Supertex inc. VN0106 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex s well-proven, silicon- Low power drive requirement gate manufacturing process. This combination produces a Ease of paralleling device with the power

 9.1. Size:588K  supertex
vn0104.pdfpdf_icon

VN0106N9

Supertex inc. VN0104 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex s well-proven, silicon- Low power drive requirement gate manufacturing process. This combination produces a Ease of paralleling device with the power

Другие MOSFET... VN0104N7 , VN0104N9 , VN0104ND , VN0106N2 , VN0106N3 , VN0106N5 , VN0106N6 , VN0106N7 , IRLZ44N , VN0106ND , VN0109N2 , VN0109N3 , VN0109N5 , VN0109N9 , VN0109ND , VN0300 , VN0300L .

History: 2N7081-220M-ISO | SPP3414S23RG

 

 

 

 

↑ Back to Top
.