VN2110. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VN2110

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для VN2110

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VN2110 даташит

 ..1. Size:631K  supertex
 vn2110.pdf pdf_icon

VN2110

Supertex inc. VN2110 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description Free from secondary breakdown This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex s Low power drive requirement well-proven, silicon-gate manufacturing process. This Ease of paralleling combination produces a device wit

 0.1. Size:48K  diodes
 zvn2110g.pdf pdf_icon

VN2110

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT ZVN2110G MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 3 OCTOBER 1995 FEATURES D * 6A PULSE DRAIN CURRENT * FAST SWITCHING SPEED = V V V S V V D PARTMARKING DETAIL - ZVN2110 G COMPLEMENTARY TYPE - ZVP2110G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT V Drain-Source Voltage VDS 100 V 10 Continuous Drain Current at Tamb=25 C ID 500 mA Pulsed Drain

 0.2. Size:61K  diodes
 zvn2110astoa zvn2110astob zvn2110astz.pdf pdf_icon

VN2110

 0.3. Size:66K  diodes
 zvn2110a.pdf pdf_icon

VN2110

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... VN10LE, VN10LLS, VN10LM, VN1206, VN1304, VN1306, VN1310, VN2106, IRF1010E, VN2210N2, VN2210N3, VN2222KM, VN2222LLG, VN2222LM, VN2224, VN2406, VN2406D