VN2406L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: VN2406L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 240 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm
Тип корпуса: TO-92
Аналог (замена) для VN2406L
VN2406L Datasheet (PDF)
tn2410l vn2406d vn2406l vn2410ls.pdf

TN2410L, VN2406D/L, VN2410L/LSVishay SiliconixN-Channel 240-V (D-S) MOSFETsPRODUCT SUMMARYPart Number V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W) VGS(th) (V) ID (A)TN2410L 10 @ VGS = 4.5 V 0.5 to 1.8 0.18VN2406D 6 @ VGS = 10 V 0.8 to 2 1.12VN2406L 240 6 @ VGS = 10 V 0.8 to 2 0.18VN2410L 10 @ VGS = 10 V 0.8 to 2 0.18VN2410LS 10 @ VGS = 10 V 0.8 to 2 0.19FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD
vn2406l.rev1.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby VN2406L/DTMOS FET TransistorVN2406L3 DRAINNChannel EnhancementMotorola Preferred Device2GATE1 SOURCEMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitDrainSource Voltage VDSS 240 Vdc 123DrainGate Voltage VDGR 60 VdcGateSource VoltageCASE 2904, STYLE 22 Continuous VGS 20 VdcTO92 (
tn2410l vn2406d-l vn2410l-ls.pdf

TN2410L, VN2406D/L, VN2410L/LSVishay SiliconixN-Channel 240-V (D-S) MOSFETsPRODUCT SUMMARYPart Number V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W) VGS(th) (V) ID (A)TN2410L 10 @ VGS = 4.5 V 0.5 to 1.8 0.18VN2406D 6 @ VGS = 10 V 0.8 to 2 1.12VN2406L 240 6 @ VGS = 10 V 0.8 to 2 0.18VN2410L 10 @ VGS = 10 V 0.8 to 2 0.18VN2410LS 10 @ VGS = 10 V 0.8 to 2 0.19FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD
vn2406.pdf

Supertex inc. VN2406N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven, Low power drive requirementsilicon-gate manufacturing process. This combination Ease of parallelingproduces a device with the power h
Другие MOSFET... VN2210N2 , VN2210N3 , VN2222KM , VN2222LLG , VN2222LM , VN2224 , VN2406 , VN2406D , IRFZ24N , VN2410 , VN2410L , VN2410LS , VN2450N8 , VN2450N3 , VN2460N8 , VN2460N3 , SM8206AO .
History: UT12N10 | 12P10L-TN3-R | 7N90 | 12P10G-TND-R | 2N70ZL | IRF3205ZLPBF | 5N65F
History: UT12N10 | 12P10L-TN3-R | 7N90 | 12P10G-TND-R | 2N70ZL | IRF3205ZLPBF | 5N65F



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
bc547 transistor datasheet | c945 datasheet | irfp260 | ksc2383 | 2n3773 | b772 transistor | 50n06 | mje350