SMC2360 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SMC2360
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.56 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.1 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 9.3 nC
Время нарастания (tr): 9.5 ns
Выходная емкость (Cd): 45 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.085 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
SMC2360 Datasheet (PDF)
smc2360.pdf
SMC2360 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe SMC2360 is the N-Channel logic enhancement 60V/6.1A, RDS(ON) =85m(typ.)@VGS =10V mode power field effect transistor is produced using high cell density. advanced trench technology to Improved dv/dt capability provide excellent RDS(ON) and low gate charge. Fast SwitchingThis device is su
smc2342a.pdf
SMC2342A 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe SMC2342A is the N-Channel logic 20V/5.0A, RDS(ON) =21m(typ.)@VGS =4.5V enhancement mode power field effect transistor is 20V/4.0A, RDS(ON) =26m(typ.)@VGS =2.5V produced using high cell density. advanced trench 20V/2.8A, RDS(ON) =40m(typ.)@VGS =1.8V technology to provide excellent RD
smc2333.pdf
SMC2333 -20V P-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe SMC2333 is the P-Channel logic enhancement -20V/-6.0A, RDS(ON) =22m(typ)@VGS =-10V mode power field effect transistor is produced using -20V/-6.0A, RDS(ON) =26m(typ)@VGS =-4.5V high cell density. advanced trench technology to -20V/-3.5A, RDS(ON) =36m(typ)@VGS =-2.5V provide excelle
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: ATM7002KNSA
