Справочник MOSFET. SMC8810A

 

SMC8810A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SMC8810A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 212 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8
 

 Аналог (замена) для SMC8810A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SMC8810A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:362K  semtron
 smc8810a.pdf pdf_icon

SMC8810A

SMC8810A 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe SMC8810A is the Single N-Channel logic 20V/7.0A, RDS(ON) =14.5m(typ.)@VGS =4.5V enhancement mode power field effect transistor 20V/6.5A, RDS(ON) =17m(typ.)@VGS =2.5V which is produced using high cell density. advanced 20V/5.0A, RDS(ON) =27m(typ.)@VGS =1.8V trench technology to prov

 7.1. Size:454K  semtron
 smc8810.pdf pdf_icon

SMC8810A

SMC8810 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe SMC8810 is the Dual N-Channel logic 20V/7.0A, RDS(ON) =11.5m(typ.)@VGS =4.5V enhancement mode power field effect transistor 20V/7.0A, RDS(ON) =12.0m(typ.)@VGS =4.0V which is produced using high cell density. advanced 20V/6.5A, RDS(ON) =12.5m(typ.)@VGS =3.2V trench technology to prov

Другие MOSFET... SMC3535 , SMC4420 , SMC4428 , SMC4738 , SMC4812 , SMC8205AS , SMC8205AW , SMC8810 , BS170 , SMC9926 , SML0505FN , SML1004R2GXN , SML100B11F , SML100B13F , SML100H9 , SML100J19F , SML100L16 .

History: QM06N65F | IRFU3418PBF | IRF1503S | FTK80N10P | F3F90HVX2 | CJ2324 | AP75T10BGP

 

 
Back to Top

 


 
.