SMC8810A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SMC8810A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 212 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: TSSOP-8

Аналог (замена) для SMC8810A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SMC8810A даташит

 ..1. Size:362K  semtron
 smc8810a.pdf pdf_icon

SMC8810A

SMC8810A 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION FEATURE The SMC8810A is the Single N-Channel logic 20V/7.0A, RDS(ON) =14.5m (typ.)@VGS =4.5V enhancement mode power field effect transistor 20V/6.5A, RDS(ON) =17m (typ.)@VGS =2.5V which is produced using high cell density. advanced 20V/5.0A, RDS(ON) =27m (typ.)@VGS =1.8V trench technology to prov

 7.1. Size:454K  semtron
 smc8810.pdf pdf_icon

SMC8810A

SMC8810 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION FEATURE The SMC8810 is the Dual N-Channel logic 20V/7.0A, RDS(ON) =11.5m (typ.)@VGS =4.5V enhancement mode power field effect transistor 20V/7.0A, RDS(ON) =12.0m (typ.)@VGS =4.0V which is produced using high cell density. advanced 20V/6.5A, RDS(ON) =12.5m (typ.)@VGS =3.2V trench technology to prov

Другие IGBT... SMC3535, SMC4420, SMC4428, SMC4738, SMC4812, SMC8205AS, SMC8205AW, SMC8810, IRF730, SMC9926, SML0505FN, SML1004R2GXN, SML100B11F, SML100B13F, SML100H9, SML100J19F, SML100L16