IXTK21N100. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXTK21N100

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 250 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm

Тип корпуса: TO264

Аналог (замена) для IXTK21N100

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTK21N100 даташит

 ..1. Size:137K  ixys
 ixtk21n100 ixtn21n100.pdf pdf_icon

IXTK21N100

IXTK 21N100 VDSS = 1000 V High Voltage IXTN 21N100 ID25 = 21 A MegaMOSTMFETs RDS(on) = 0.55 N-Channel, Enhancement Mode TO-264 AA (IXTK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings IXTK IXTN VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 1000 V G D (TAB) D VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 1000 1000 V S VGS Continuous 20 20 V miniBLOC, SOT-227 B VGSM Transient 30

 8.1. Size:179K  ixys
 ixtk210p10t ixtx210p10t.pdf pdf_icon

IXTK21N100

Advance Technical Information TrenchPTM VDSS = - 100V IXTK210P10T Power MOSFETs ID25 = - 210A IXTX210P10T RDS(on) 7.5m trr 200ns P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier TO-264 (IXTK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 150 C -100 V D S VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS

 9.1. Size:162K  ixys
 ixtk200n10p.pdf pdf_icon

IXTK21N100

VDSS = 100 V IXTK 200N10P PolarHTTM ID25 = 200 A Power MOSFET RDS(on) 7.5 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 (IXTK) VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 100 V VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V G ID25 TC = 25 C 200 A D (TAB) S ID

 9.2. Size:129K  ixys
 ixtk20n150 ixtx20n150.pdf pdf_icon

IXTK21N100

High Voltage Power VDSS = 1500V IXTK20N150 MOSFETs w/ Extended ID25 = 20A IXTX20N150 FBSOA RDS(on)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXTH68N20, IXTH6N80, IXTH6N80A, IXTH6N90, IXTH6N90A, IXTH75N10, IXTH7P50, IXTH8P50, CS150N03A8, IXTK33N45, IXTK33N50, IXTK74N20, IXTM10N100, IXTM10N90, IXTM11N80, IXTM12N100, IXTM12N50A