IXTK21N100 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IXTK21N100
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
Тип корпуса: TO264
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
IXTK21N100 Datasheet (PDF)
ixtk21n100 ixtn21n100.pdf

IXTK 21N100 VDSS = 1000 VHigh VoltageIXTN 21N100 ID25 = 21 AMegaMOSTMFETsRDS(on) = 0.55 N-Channel, Enhancement ModeTO-264 AA (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsIXTK IXTNVDSS TJ = 25C to 150C 1000 1000 VGD (TAB)DVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1000 1000 VSVGS Continuous 20 20 VminiBLOC, SOT-227 BVGSM Transient 30
ixtk210p10t ixtx210p10t.pdf

Advance Technical InformationTrenchPTM VDSS = - 100VIXTK210P10TPower MOSFETs ID25 = - 210AIXTX210P10T RDS(on) 7.5m trr 200nsP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierTO-264 (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C -100 V DSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS
ixtk200n10p.pdf

VDSS = 100 VIXTK 200N10PPolarHTTMID25 = 200 APower MOSFET RDS(on) 7.5 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-264 (IXTK)VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 100 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VGID25 TC = 25 C 200 AD(TAB)SID
ixtk20n150 ixtx20n150.pdf

High Voltage PowerVDSS = 1500VIXTK20N150MOSFETs w/ ExtendedID25 = 20AIXTX20N150FBSOARDS(on)
Другие MOSFET... IXTH68N20 , IXTH6N80 , IXTH6N80A , IXTH6N90 , IXTH6N90A , IXTH75N10 , IXTH7P50 , IXTH8P50 , 20N50 , IXTK33N45 , IXTK33N50 , IXTK74N20 , IXTM10N100 , IXTM10N90 , IXTM11N80 , IXTM12N100 , IXTM12N50A .
History: IRF241 | NCE70T180D
History: IRF241 | NCE70T180D



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
ksa1220 | s9015 | mje3055t datasheet | a733 | irf9630 | mj2955 | mje15030 | 2n3904 transistor