Справочник MOSFET. SML20B56F

 

SML20B56F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SML20B56F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 980 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: TO-247AD
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SML20B56F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:21K  semelab
sml20b56 sml20b56f.pdfpdf_icon

SML20B56F

SML20B56TO247AD Package Outline.Dimensions in mm (inches)4.69 (0.185) 15.49 (0.610) NCHANNEL5.31 (0.209) 16.26 (0.640)1.49 (0.059)2.49 (0.098)ENHANCEMENT MODEHIGH VOLTAGEPOWER MOSFETS3.55 (0.140)3.81 (0.150)1 2 3 VDSS 200V1.65 (0.065)2.13 (0.084)0.40 (0.016)ID(cont) 56A0.79 (0.031) 2.87 (0.113)3.12 (0.123)1.01 (0.040)1.40 (0.055) RDS(on) 0.0452.21

 8.1. Size:21K  semelab
sml20b67 sml20b67f.pdfpdf_icon

SML20B56F

SML20B67TO247AD Package Outline.Dimensions in mm (inches)4.69 (0.185) 15.49 (0.610) NCHANNEL5.31 (0.209) 16.26 (0.640)1.49 (0.059)2.49 (0.098)ENHANCEMENT MODEHIGH VOLTAGEPOWER MOSFETS3.55 (0.140)3.81 (0.150)1 2 3 VDSS 200V1.65 (0.065)2.13 (0.084)0.40 (0.016)ID(cont) 67A0.79 (0.031) 2.87 (0.113)3.12 (0.123)1.01 (0.040)1.40 (0.055) RDS(on) 0.0382.21

 9.1. Size:26K  semelab
sml20w65.pdfpdf_icon

SML20B56F

SML20W65TO267 Package Outline.Dimensions in mm (inches)NCHANNELENHANCEMENT MODEHIGH VOLTAGEPOWER MOSFETSVDSS 200VID(cont) 65ARDS(on) 0.026 Faster Switching Lower Leakage TO267 Hermetic PackageDStarMOS is a new generation of high voltageNChannel enhancement mode power MOSFETs.This new technology minimises the JFET effect,Gincreases

 9.2. Size:23K  semelab
sml20j175.pdfpdf_icon

SML20B56F

SML20J175SOT227 Package Outline.Dimensions in mm (inches)11.8 (0.463)12.2 (0.480)31.5 (1.240)NCHANNEL31.7 (1.248)8.9 (0.350)7.8 (0.307)4.1 (0.161 )8.2 (0.322) W = 9.6 (0.378)Hex Nut M 44.3 (0.169 )ENHANCEMENT MODE(4 places)4.8 (0.187)H =4.9 (0.193)1 2(4 places) HIGH VOLTAGERPOWER MOSFETS4.0 (0.157) 0.75 (0.030)4.2 (0.165) 0.85 (0.033)4 3

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: TPR65R360M | 7N60L-A-TF3 | BRCS020N03ZC | MEE7816S | CJP04N60 | AP9414GM | MS65R120C

 

 
Back to Top

 


 
.