Справочник MOSFET. SML20J175F

 

SML20J175F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SML20J175F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 700 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 175 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: TO-257AA
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SML20J175F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:181K  semelab
sml20j175f.pdfpdf_icon

SML20J175F

N-CHANNEL POWER MOSFET SML20J175 Fast Switching and Low leakage 100% Avalanche Tested Popular SOT-227 Package StarMOS is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimises the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. StarMOS also achieve faster switching speeds through optimised

 5.1. Size:23K  semelab
sml20j175.pdfpdf_icon

SML20J175F

SML20J175SOT227 Package Outline.Dimensions in mm (inches)11.8 (0.463)12.2 (0.480)31.5 (1.240)NCHANNEL31.7 (1.248)8.9 (0.350)7.8 (0.307)4.1 (0.161 )8.2 (0.322) W = 9.6 (0.378)Hex Nut M 44.3 (0.169 )ENHANCEMENT MODE(4 places)4.8 (0.187)H =4.9 (0.193)1 2(4 places) HIGH VOLTAGERPOWER MOSFETS4.0 (0.157) 0.75 (0.030)4.2 (0.165) 0.85 (0.033)4 3

 7.1. Size:23K  semelab
sml20j122.pdfpdf_icon

SML20J175F

SML20J122SOT227 Package Outline.Dimensions in mm (inches)11.8 (0.463)12.2 (0.480)31.5 (1.240)NCHANNEL31.7 (1.248)8.9 (0.350)7.8 (0.307)4.1 (0.161 )8.2 (0.322) W = 9.6 (0.378)Hex Nut M 44.3 (0.169 )ENHANCEMENT MODE(4 places)4.8 (0.187)H =4.9 (0.193)1 2(4 places) HIGH VOLTAGERPOWER MOSFETS4.0 (0.157) 0.75 (0.030)4.2 (0.165) 0.85 (0.033)4 3

 8.1. Size:23K  semelab
sml20j97 sml20j97f.pdfpdf_icon

SML20J175F

SML20J97SOT227 Package Outline.Dimensions in mm (inches)11.8 (0.463)12.2 (0.480)31.5 (1.240)NCHANNEL31.7 (1.248)8.9 (0.350)7.8 (0.307)4.1 (0.161 )8.2 (0.322) W = 9.6 (0.378)Hex Nut M 44.3 (0.169 )ENHANCEMENT MODE(4 places)4.8 (0.187)H =4.9 (0.193)1 2(4 places) HIGH VOLTAGERPOWER MOSFETS4.0 (0.157) 0.75 (0.030)4.2 (0.165) 0.85 (0.033)4 3V

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: AM90N08-10B | SI7913DN | KIA2N60H-220 | MC11N005 | NVMFS5C628N | JCS5N50CT | NCEP026N10F

 

 
Back to Top

 


 
.