Справочник MOSFET. IXTK33N50

 

IXTK33N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTK33N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 416 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 635 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
   Тип корпуса: TO264
 

 Аналог (замена) для IXTK33N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTK33N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:74K  ixys
 ixtk33n45 ixtk33n50.pdf pdf_icon

IXTK33N50

 ..2. Size:92K  ixys
 ixtk33n50.pdf pdf_icon

IXTK33N50

IXTK 33N50 VDSS = 500 VHigh CurrentID (cont) = 33 AMegaMOSTMFETRDS(on) = 0.17 N-Channel Enhancement ModePreliminary dataSymbol Test conditions Maximum ratings TO-264 AAVDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1.0 M 500 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VD (TAB)GDID25 TC = 25C 33 ASIDM TC = 25C, pulse

Другие MOSFET... IXTH6N80A , IXTH6N90 , IXTH6N90A , IXTH75N10 , IXTH7P50 , IXTH8P50 , IXTK21N100 , IXTK33N45 , IRFP250 , IXTK74N20 , IXTM10N100 , IXTM10N90 , IXTM11N80 , IXTM12N100 , IXTM12N50A , IXTM12N90 , IXTM13N80 .

History: BL5N135-W | IRFB3307ZG | FDY3000NZ | NTGS3130N

 

 
Back to Top

 


 
.