IXTK33N50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXTK33N50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 416 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 227 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 635 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm

Тип корпуса: TO264

Аналог (замена) для IXTK33N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTK33N50 даташит

 ..1. Size:74K  ixys
 ixtk33n45 ixtk33n50.pdf pdf_icon

IXTK33N50

 ..2. Size:92K  ixys
 ixtk33n50.pdf pdf_icon

IXTK33N50

IXTK 33N50 VDSS = 500 V High Current ID (cont) = 33 A MegaMOSTMFET RDS(on) = 0.17 N-Channel Enhancement Mode Preliminary data Symbol Test conditions Maximum ratings TO-264 AA VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1.0 M 500 V VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V D (TAB) G D ID25 TC = 25 C 33 A S IDM TC = 25 C, pulse

Другие IGBT... IXTH6N80A, IXTH6N90, IXTH6N90A, IXTH75N10, IXTH7P50, IXTH8P50, IXTK21N100, IXTK33N45, AON7506, IXTK74N20, IXTM10N100, IXTM10N90, IXTM11N80, IXTM12N100, IXTM12N50A, IXTM12N90, IXTM13N80