SMMA511DJ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SMMA511DJ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
Тип корпуса: SC-70-6
Аналог (замена) для SMMA511DJ
SMMA511DJ Datasheet (PDF)
smma511dj.pdf

New ProductSMMA511DJVishay SiliconixN- and P-Channel 12 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY High Quality Manufacturing Process Using SMMN-CHANNEL P-CHANNELProcess FlowVDS (V) 12 - 12 Halogen-free According to IEC 61249-2-21RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.040 0.070DefinitionRDS(on) () at VGS = 2.5 V 0.048 0.100 TrenchFET Power MOSFETsRDS(on) ()
Другие MOSFET... SML901R1HN , SML901R3AN , SML902R4BN , SML902RBN , SML9030-220M , SML9030-220M-ISO , SML9030-T254 , SMM2348ES , 5N65 , SMMB912DK , SMMBFJ310LT1G , SMMBFJ310LT3G , SMOS21N50 , SMOS26N50 , SMOS44N50 , SMOS44N50D2 , SMOS44N50D3 .
History: NCE40P15Q | IRFU9010PBF | APT10026JFLL | SFG110N12FF | STD10NF30 | SQD50N02-04L | BLS65R560-P
History: NCE40P15Q | IRFU9010PBF | APT10026JFLL | SFG110N12FF | STD10NF30 | SQD50N02-04L | BLS65R560-P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
tip31 transistor | 2sc1384 | mj21196g | irfb4115 | 21270 transistor | k3569 | irf640 datasheet | c945 transistor equivalent