Справочник MOSFET. SMMA511DJ

 

SMMA511DJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SMMA511DJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: SC-70-6
 

 Аналог (замена) для SMMA511DJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SMMA511DJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:259K  vishay
 smma511dj.pdf pdf_icon

SMMA511DJ

New ProductSMMA511DJVishay SiliconixN- and P-Channel 12 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY High Quality Manufacturing Process Using SMMN-CHANNEL P-CHANNELProcess FlowVDS (V) 12 - 12 Halogen-free According to IEC 61249-2-21RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.040 0.070DefinitionRDS(on) () at VGS = 2.5 V 0.048 0.100 TrenchFET Power MOSFETsRDS(on) ()

Другие MOSFET... SML901R1HN , SML901R3AN , SML902R4BN , SML902RBN , SML9030-220M , SML9030-220M-ISO , SML9030-T254 , SMM2348ES , 5N65 , SMMB912DK , SMMBFJ310LT1G , SMMBFJ310LT3G , SMOS21N50 , SMOS26N50 , SMOS44N50 , SMOS44N50D2 , SMOS44N50D3 .

History: SI2309CDS-T1-GE3 | SRM7N65DTR-E1 | IRF7309 | IXFA5N100P | TK6P60W | AO4433 | IPD60R180P7S

 

 
Back to Top

 


 
.