SMMA511DJ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SMMA511DJ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: SC-70-6

Аналог (замена) для SMMA511DJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SMMA511DJ даташит

 ..1. Size:259K  vishay
 smma511dj.pdf pdf_icon

SMMA511DJ

New Product SMMA511DJ Vishay Siliconix N- and P-Channel 12 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY High Quality Manufacturing Process Using SMM N-CHANNEL P-CHANNEL Process Flow VDS (V) 12 - 12 Halogen-free According to IEC 61249-2-21 RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.040 0.070 Definition RDS(on) ( ) at VGS = 2.5 V 0.048 0.100 TrenchFET Power MOSFETs RDS(on) ( )

Другие IGBT... SML901R1HN, SML901R3AN, SML902R4BN, SML902RBN, SML9030-220M, SML9030-220M-ISO, SML9030-T254, SMM2348ES, 2SK3568, SMMB912DK, SMMBFJ310LT1G, SMMBFJ310LT3G, SMOS21N50, SMOS26N50, SMOS44N50, SMOS44N50D2, SMOS44N50D3