Справочник MOSFET. VN3515L

 

VN3515L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VN3515L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 350 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 15 Ohm
   Тип корпуса: TO-92
 

 Аналог (замена) для VN3515L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VN3515L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:341K  supertex
 vn3515 vn3515l.pdf pdf_icon

VN3515L

VN3515N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General DescriptionThis enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes Free from secondary breakdowna vertical DMOS structure and Supertexs well-proven, Low power drive requirementsilicon-gate manufacturing process. This combination Ease of parallelingproduces a device with the power handling capab

Другие MOSFET... SMP3003-DL-1E , SMP3003-DL-E , SMP3003-TL-1E , SN7002N , SN7002W , VN30AB , VN3205N3 , VN3205N8 , NCEP15T14 , VN35AB , VN35AK , VN4012L , VN66AD , VN66AK , VN67AB , VN67AD , VN67AFD .

History: IRC531-008 | BF410D | GFP50N03 | CS4N60A8HD | IRFSL59N10DPBF | ATP214 | IXFH12N90

 

 
Back to Top

 


 
.