VN3515L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: VN3515L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 350 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.15 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 15 Ohm
Тип корпуса: TO-92
Аналог (замена) для VN3515L
VN3515L Datasheet (PDF)
vn3515 vn3515l.pdf
VN3515N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General DescriptionThis enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes Free from secondary breakdowna vertical DMOS structure and Supertexs well-proven, Low power drive requirementsilicon-gate manufacturing process. This combination Ease of parallelingproduces a device with the power handling capab
Другие MOSFET... SMP3003-DL-1E , SMP3003-DL-E , SMP3003-TL-1E , SN7002N , SN7002W , VN30AB , VN3205N3 , VN3205N8 , IRF1405 , VN35AB , VN35AK , VN4012L , VN66AD , VN66AK , VN67AB , VN67AD , VN67AFD .
History: MMDF3N02HDR2G | AP4420GJ | 2SK3136
History: MMDF3N02HDR2G | AP4420GJ | 2SK3136
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
irlz24n | irf620 | irfp350 | 13003 transistor | c458 transistor | 2sc1775 | 2n1305 | 2sc5242


