VNS008D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VNS008D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.77 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для VNS008D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VNS008D даташит

 ..1. Size:285K  siliconix
 vns008d vns009d vnt008d vnt009d.pdf pdf_icon

VNS008D

VNS008D

 8.1. Size:291K  siliconix
 vns008a vns009a vnt008a vnt009a.pdf pdf_icon

VNS008D

VNS008A

Другие IGBT... VN67AD, VN67AFD, VN67AK, VN89AB, VN90AB, VN98AK, VN99AK, VNS008A, 60N06, VNS009A, VNS009D, VNT008A, VNT008D, VNT009A, VNT009D, VP0104, VP0106