VNT009A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: VNT009A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
Тип корпуса: TO-3
Аналог (замена) для VNT009A
VNT009A Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... VN98AK , VN99AK , VNS008A , VNS008D , VNS009A , VNS009D , VNT008A , VNT008D , IRF3205 , VNT009D , VP0104 , VP0106 , VP0109 , VP0550 , VP0808 , VP1008CSM4 , VP2106 .
History: STW13NK80Z | WMO25P06T1
History: STW13NK80Z | WMO25P06T1



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2n3565 equivalent | 10n60 | 2sc1061 | a1023 | d313 transistor | 2sa1302 | 2sd315 | a1013