VP0808 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: VP0808
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.28 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
Тип корпуса: TO-92
Аналог (замена) для VP0808
VP0808 Datasheet (PDF)
vp0808.pdf

Supertex inc. VP0808P-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETsFeatures General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven, Low power drive requirementsilicon-gate manufacturing process. This combination Ease of parallelingproduces a device with the power
Другие MOSFET... VNT008A , VNT008D , VNT009A , VNT009D , VP0104 , VP0106 , VP0109 , VP0550 , 50N06 , VP1008CSM4 , VP2106 , VP2110 , VP2206N2 , VP2206N3 , VP2450N3 , VP2450N8 , VP3203N3 .
History: STD40NF03LT4 | HM4447 | STD3NM60N | NTD4963NG | 2SK2749 | IRF9321 | HM4452
History: STD40NF03LT4 | HM4447 | STD3NM60N | NTD4963NG | 2SK2749 | IRF9321 | HM4452



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sd315 | a1013 | 2sb554 | 2sd2560 | 2sc2078 transistor | bc558 datasheet | p75nf75 mosfet | ao4407a