VP0808. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VP0808

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.28 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm

Тип корпуса: TO-92

Аналог (замена) для VP0808

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VP0808 даташит

 ..1. Size:545K  supertex
 vp0808.pdf pdf_icon

VP0808

Supertex inc. VP0808 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs Features General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex s well-proven, Low power drive requirement silicon-gate manufacturing process. This combination Ease of paralleling produces a device with the power

Другие IGBT... VNT008A, VNT008D, VNT009A, VNT009D, VP0104, VP0106, VP0109, VP0550, 50N06, VP1008CSM4, VP2106, VP2110, VP2206N2, VP2206N3, VP2450N3, VP2450N8, VP3203N3