Справочник MOSFET. VP0808

 

VP0808 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VP0808
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.28 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: TO-92
 

 Аналог (замена) для VP0808

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VP0808 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:545K  supertex
 vp0808.pdf pdf_icon

VP0808

Supertex inc. VP0808P-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETsFeatures General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven, Low power drive requirementsilicon-gate manufacturing process. This combination Ease of parallelingproduces a device with the power

Другие MOSFET... VNT008A , VNT008D , VNT009A , VNT009D , VP0104 , VP0106 , VP0109 , VP0550 , 50N06 , VP1008CSM4 , VP2106 , VP2110 , VP2206N2 , VP2206N3 , VP2450N3 , VP2450N8 , VP3203N3 .

History: WMO07N100C2 | ME15N25F-G | AUIRLS4030-7P | AOD256 | SSG4835P

 

 
Back to Top

 


 
.