Справочник MOSFET. VP2206N2

 

VP2206N2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VP2206N2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: TO-39
 

 Аналог (замена) для VP2206N2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VP2206N2 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:692K  supertex
 vp2206.pdf pdf_icon

VP2206N2

Supertex inc. VP2206P-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeaturesGeneral Description Free from secondary breakdownThe Supertex VP2206 is an enhancement-mode (normally- Low power drive requirement off) transistor that utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven silicon-gate manufacturing process. Ease of parallelingThis combination produces

Другие MOSFET... VP0104 , VP0106 , VP0109 , VP0550 , VP0808 , VP1008CSM4 , VP2106 , VP2110 , IRF1404 , VP2206N3 , VP2450N3 , VP2450N8 , VP3203N3 , VP3203N8 , VP5225 , VS-FA40SA50LC , VS-FA72SA50LC .

History: MMN7230 | TSB15N10A | 2SK356 | IRFS650A | 2SK2666 | APT50M75LFLLG | APQ84SN06AH

 

 
Back to Top

 


 
.