VP3203N8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VP3203N8

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: SOT-89

Аналог (замена) для VP3203N8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VP3203N8 даташит

 8.1. Size:581K  supertex
 vp3203.pdf pdf_icon

VP3203N8

VP3203 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description Free from secondary breakdown The Supertex VP3203 is an enhancement-mode (normally- off) transistor that utilizes a vertical DMOS structure Low power drive requirement and Supertex s well-proven silicon-gate manufacturing Ease of paralleling process. This combination produces a device with

Другие IGBT... VP1008CSM4, VP2106, VP2110, VP2206N2, VP2206N3, VP2450N3, VP2450N8, VP3203N3, AO3400, VP5225, VS-FA40SA50LC, VS-FA72SA50LC, VS-FB190SA10, VS-FC220SA20, VS-FC80NA20, VT6J1, VT6K1