IXTM14N80. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXTM14N80

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm

Тип корпуса: TO204

Аналог (замена) для IXTM14N80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTM14N80 даташит

 9.1. Size:105K  ixys
 ixth10n100 ixtm10n100 ixth12n100 ixtm12n100.pdf pdf_icon

IXTM14N80

VDSS ID25 RDS(on) MegaMOSTMFET IXTH / IXTM 10N100 1000 V 10 A 1.20 IXTH / IXTM 12N100 1000 V 12 A 1.05 N-Channel Enhancement Mode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 1000 V VGS Continuous 20 V D (TAB) VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C 10N

 9.2. Size:316K  ixys
 ixth15n60 ixtm15n60 ixth20n60 ixtm20n60.pdf pdf_icon

IXTM14N80

Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine

 9.3. Size:64K  ixys
 ixth10n60 ixth10n60a ixtm10n60 ixtm10n60a.pdf pdf_icon

IXTM14N80

 9.4. Size:98K  ixys
 ixth11n80 ixtm11n80 ixth13n80 ixtm13n80.pdf pdf_icon

IXTM14N80

VDSS ID25 RDS(on) IXTH / IXTM 11N80 800 V 11 A 0.95 MegaMOSTMFET IXTH / IXTM 13N80 800 V 13 A 0.80 N-Channel Enhancement Mode TO-247 AD (IXTH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 800 V D (TAB) VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C 11N80 11

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXTK74N20, IXTM10N100, IXTM10N90, IXTM11N80, IXTM12N100, IXTM12N50A, IXTM12N90, IXTM13N80, 2SK3568, IXTM15N60, IXTM20N60, IXTM21N50, IXTM24N50, IXTM35N30, IXTM40N30, IXTM42N20, IXTM50N20