IXTM15N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXTM15N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm

Тип корпуса: TO204

Аналог (замена) для IXTM15N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTM15N60 даташит

 ..1. Size:316K  ixys
 ixth15n60 ixtm15n60 ixth20n60 ixtm20n60.pdf pdf_icon

IXTM15N60

Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine

 7.1. Size:65K  ixys
 ixth15n45a ixth15n50a ixtm15n45a ixtm15n50a.pdf pdf_icon

IXTM15N60

 9.1. Size:105K  ixys
 ixth10n100 ixtm10n100 ixth12n100 ixtm12n100.pdf pdf_icon

IXTM15N60

VDSS ID25 RDS(on) MegaMOSTMFET IXTH / IXTM 10N100 1000 V 10 A 1.20 IXTH / IXTM 12N100 1000 V 12 A 1.05 N-Channel Enhancement Mode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 1000 V VGS Continuous 20 V D (TAB) VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C 10N

 9.2. Size:64K  ixys
 ixth10n60 ixth10n60a ixtm10n60 ixtm10n60a.pdf pdf_icon

IXTM15N60

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXTM10N100, IXTM10N90, IXTM11N80, IXTM12N100, IXTM12N50A, IXTM12N90, IXTM13N80, IXTM14N80, 10N65, IXTM20N60, IXTM21N50, IXTM24N50, IXTM35N30, IXTM40N30, IXTM42N20, IXTM50N20, IXTM5N100