HCS20NT60V. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HCS20NT60V

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для HCS20NT60V

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCS20NT60V даташит

 ..1. Size:378K  semihow
 hcs20nt60v.pdf pdf_icon

HCS20NT60V

Apr 2014 BVDSS = 600 V RDS(on) typ = 0.17 HCS20NT60V ID = 20 A 600V N-Channel Super Junction MOSFET TO-220F FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 54 nC (Typ.) Extended Safe Ope

Другие IGBT... HAT3008RJ, HAT3018RJ, HCD6NC70S, HCD7N70S, HCH20NT60V, HCP12NK65V, HCP20NT60V, HCS12NK65V, STP80NF70, HCT7000M, HCT7000MTXV, HCU6N70S, HCU7NE70S, HFA9N90, HFB1N60S, HFB1N65S, HFB1N70S