Справочник MOSFET. HFD2N60

 

HFD2N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFD2N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: D-PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HFD2N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:155K  semihow
 hfd2n60.pdf pdf_icon

HFD2N60

July 2005BVDSS = 600 VRDS(on) typ HFD2N60 / HFU2N60ID = 1.8 A600V N-Channel MOSFETD-PAK I-PAK2FEATURES113 23 Originative New DesignHFD2N60 HFU2N60 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 9.0 nC (Typ

 0.1. Size:381K  semihow
 hfd2n60u hfu2n60u.pdf pdf_icon

HFD2N60

June 2015BVDSS = 600 VRDS(on) typ = 4 HFD2N60U / HFU2N60U ID = 1.8 A600V N-Channel MOSFETD-PAK I-PAKFEATURES21 Originative New Design13 23 Superior Avalanche Rugged TechnologyHFD2N60U HFU2N60U Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 5.5 nC (T

 0.2. Size:199K  semihow
 hfd2n60u.pdf pdf_icon

HFD2N60

Jan 2014BVDSS = 600 VRDS(on) typ = 4 HFD2N60U / HFU2N60U ID = 1.8 A600V N-Channel MOSFETD-PAK I-PAKFEATURES21 Originative New Design13 23 Superior Avalanche Rugged TechnologyHFD2N60U HFU2N60U Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 5.5 nC (Ty

 0.3. Size:160K  semihow
 hfd2n60s.pdf pdf_icon

HFD2N60

March 2014BVDSS = 600 VRDS(on) typ HFD2N60S / HFU2N60SID = 1.9 A600V N-Channel MOSFETD-PAK I-PAK2FEATURES113 23 Originative New DesignHFD2N60S HFU2N60S Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 6.0 nC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: CS4N70A3HD-G | BF964S | SVSP24NF60FJDD2 | BSC032N03SG | JCS3N80F | SM4927BSKC | QM4014D

 

 
Back to Top

 


 
.