Справочник MOSFET. HFD2N60

 

HFD2N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFD2N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: D-PAK
 

 Аналог (замена) для HFD2N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFD2N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:155K  semihow
 hfd2n60.pdf pdf_icon

HFD2N60

July 2005BVDSS = 600 VRDS(on) typ HFD2N60 / HFU2N60ID = 1.8 A600V N-Channel MOSFETD-PAK I-PAK2FEATURES113 23 Originative New DesignHFD2N60 HFU2N60 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 9.0 nC (Typ

 0.1. Size:381K  semihow
 hfd2n60u hfu2n60u.pdf pdf_icon

HFD2N60

June 2015BVDSS = 600 VRDS(on) typ = 4 HFD2N60U / HFU2N60U ID = 1.8 A600V N-Channel MOSFETD-PAK I-PAKFEATURES21 Originative New Design13 23 Superior Avalanche Rugged TechnologyHFD2N60U HFU2N60U Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 5.5 nC (T

 0.2. Size:199K  semihow
 hfd2n60u.pdf pdf_icon

HFD2N60

Jan 2014BVDSS = 600 VRDS(on) typ = 4 HFD2N60U / HFU2N60U ID = 1.8 A600V N-Channel MOSFETD-PAK I-PAKFEATURES21 Originative New Design13 23 Superior Avalanche Rugged TechnologyHFD2N60U HFU2N60U Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 5.5 nC (Ty

 0.3. Size:160K  semihow
 hfd2n60s.pdf pdf_icon

HFD2N60

March 2014BVDSS = 600 VRDS(on) typ HFD2N60S / HFU2N60SID = 1.9 A600V N-Channel MOSFETD-PAK I-PAK2FEATURES113 23 Originative New DesignHFD2N60S HFU2N60S Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 6.0 nC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HCU6N70S , HCU7NE70S , HFA9N90 , HFB1N60S , HFB1N65S , HFB1N70S , HFD1N60S , HFD1N65S , SKD502T , HFD2N60S , HFD2N60U , HFD2N65S , HFD2N65U , HFD2N70S , HFD2N90 , HFD3N80 , HFD4N50 .

History: SIHFD014 | BUK9Y40-55B | STF13N60M2 | PSMN5R6-100PS | 2SK1074 | SP8M70

 

 
Back to Top

 


 
.