Справочник MOSFET. HFH7N80

 

HFH7N80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFH7N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 198 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.9 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
 

 Аналог (замена) для HFH7N80

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFH7N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:253K  semihow
 hfh7n80.pdf pdf_icon

HFH7N80

Mar 2010BVDSS = 800 VRDS(on) typ = 1.55 HFH7N80ID = 7.0 A800V N-Channel MOSFETTO-3PFEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 35 nC (Typ.) Unrivalled Gate Charge : 35 nC (Typ ) Exte

 9.1. Size:616K  shantou-huashan
 hfh7n60.pdf pdf_icon

HFH7N80

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFH7N60 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. TO-3P They are advanced power MOSFETs designed, this advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance

Другие MOSFET... HFD8N65U , HFD8N70U , HFH10N80 , HFH11N90 , HFH13N80 , HFH18N50S , HFH19N60 , HFH6N90 , AO4468 , HFI50N06 , HFI640 , HFN6N70U , HFP10N60S , HFP10N60U , HFP10N65S , HFP10N65U , HFP10N80 .

History: AP30T10GS | STP4N150 | AM7304N | P7004EV | AOW11S65 | STB10NK60Z | NCEP6060GU

 

 
Back to Top

 


 
.