HFH7N80. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HFH7N80

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 198 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.9 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

Аналог (замена) для HFH7N80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFH7N80 даташит

 ..1. Size:253K  semihow
 hfh7n80.pdf pdf_icon

HFH7N80

Mar 2010 BVDSS = 800 V RDS(on) typ = 1.55 HFH7N80 ID = 7.0 A 800V N-Channel MOSFET TO-3P FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 35 nC (Typ.) Unrivalled Gate Charge 35 nC (Typ ) Exte

 9.1. Size:616K  shantou-huashan
 hfh7n60.pdf pdf_icon

HFH7N80

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFH7N60 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. TO-3P They are advanced power MOSFETs designed, this advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance

Другие IGBT... HFD8N65U, HFD8N70U, HFH10N80, HFH11N90, HFH13N80, HFH18N50S, HFH19N60, HFH6N90, 60N06, HFI50N06, HFI640, HFN6N70U, HFP10N60S, HFP10N60U, HFP10N65S, HFP10N65U, HFP10N80