HFI640 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HFI640
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 37 nC
trⓘ - Время нарастания: 150 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
Тип корпуса: TO-262
HFI640 Datasheet (PDF)
hfi640 hfw640.pdf
Mar 2008BVDSS = 200 VRDS(on) typ HFW640 / HFI640ID = 18 A200V N-Channel MOSFETD2-PAK I2-PAK2FEATURES13 123 Originative New DesignHFW640 HFI640 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 37 nC (Typ.)
sihfi640g.pdf
IRFI640G, SiHFI640GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 200 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.18f = 60 Hz)RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 70COMPLIANT Dynamic dV/dt RatingQgs (nC) 13 Low Thermal ResistanceQgd (nC) 39 Lead (Pb)-fr
irfi640g sihfi640g.pdf
IRFI640G, SiHFI640GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 200 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.18f = 60 Hz)RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 70COMPLIANT Dynamic dV/dt RatingQgs (nC) 13 Low Thermal ResistanceQgd (nC) 39 Lead (Pb)-fr
irfi644g sihfi644g.pdf
IRFI644G, SiHFI644GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 250Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 0.28f = 60 Hz)RoHS*Qg (Max.) (nC) 68COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 11 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 35 Low Thermal ResistanceConfiguration Si
sihfi644g.pdf
IRFI644G, SiHFI644GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 250Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 0.28f = 60 Hz)RoHS*Qg (Max.) (nC) 68COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 11 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 35 Low Thermal ResistanceConfiguration Si
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F