Справочник MOSFET. HFP10N80

 

HFP10N80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFP10N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 195 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.15 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для HFP10N80

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFP10N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:207K  semihow
 hfp10n80.pdf pdf_icon

HFP10N80

Dec 2010BVDSS = 800 VRDS(on) typ HFP10N80ID = 9.4 A800V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design 123 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 58 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Low

 8.1. Size:172K  semihow
 hfp10n65s.pdf pdf_icon

HFP10N80

March 2014BVDSS = 650 VRDS(on) typ HFP10N65SID = 9.5 A650V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design 123 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 29 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area L

 8.2. Size:201K  semihow
 hfp10n60u.pdf pdf_icon

HFP10N80

Feb 2013BVDSS = 600 VRDS(on) typ = 0.67 HFP10N60U ID = 9.5 A600V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 29 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lo

 8.3. Size:189K  semihow
 hfp10n60s.pdf pdf_icon

HFP10N80

Nov 2007BVDSS = 600 VRDS(on) typ HFP10N60SID = 9.5 A600V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design 123 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 29 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HFH7N80 , HFI50N06 , HFI640 , HFN6N70U , HFP10N60S , HFP10N60U , HFP10N65S , HFP10N65U , 20N60 , HFP11N40 , HFP12N60S , HFP12N60U , HFP12N65S , HFP12N65U , HFP13N50S , HFP13N50U , HFP13N60U .

History: 2SK3019 | VS3628GA | CSD16322Q5

 

 
Back to Top

 


 
.