HFP12N65S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HFP12N65S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 225 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 38 nC
Время нарастания (tr): 85 ns
Выходная емкость (Cd): 185 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.78 Ohm
Тип корпуса: TO-220
HFP12N65S Datasheet (PDF)
hfp12n65s.pdf
Aug 2009BVDSS = 650 VRDS(on) typ = 0.67 HFP12N65SID = 12 A650V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design 123 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 38 nC (Typ.) Unrivalled Gate Charge : 38 nC (Typ ) Ext
hfp12n65u.pdf
July 2014BVDSS = 650 VRDS(on) typ = 0.67 HFP12N65U ID = 12 A650V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 42 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lo
hfp12n60u.pdf
July 2014BVDSS = 600 VRDS(on) typ = 0.53 HFP12N60U ID = 12 A600V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 42 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lo
hfp12n60s.pdf
Nov 2007BVDSS = 600 VRDS(on) typ = 0.53 HFP12N60SID = 12 A600V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design 123 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 38 nC (Typ.) Unrivalled Gate Charge : 38 nC (Typ ) Ext
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
