Справочник MOSFET. HFP12N65S

 

HFP12N65S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFP12N65S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 225 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 85 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.78 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для HFP12N65S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFP12N65S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:246K  semihow
 hfp12n65s.pdf pdf_icon

HFP12N65S

Aug 2009BVDSS = 650 VRDS(on) typ = 0.67 HFP12N65SID = 12 A650V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design 123 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 38 nC (Typ.) Unrivalled Gate Charge : 38 nC (Typ ) Ext

 6.1. Size:173K  semihow
 hfp12n65u.pdf pdf_icon

HFP12N65S

July 2014BVDSS = 650 VRDS(on) typ = 0.67 HFP12N65U ID = 12 A650V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 42 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lo

 7.1. Size:171K  semihow
 hfp12n60u.pdf pdf_icon

HFP12N65S

July 2014BVDSS = 600 VRDS(on) typ = 0.53 HFP12N60U ID = 12 A600V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 42 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lo

 7.2. Size:255K  semihow
 hfp12n60s.pdf pdf_icon

HFP12N65S

Nov 2007BVDSS = 600 VRDS(on) typ = 0.53 HFP12N60SID = 12 A600V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design 123 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 38 nC (Typ.) Unrivalled Gate Charge : 38 nC (Typ ) Ext

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HFP10N60S , HFP10N60U , HFP10N65S , HFP10N65U , HFP10N80 , HFP11N40 , HFP12N60S , HFP12N60U , IRF640 , HFP12N65U , HFP13N50S , HFP13N50U , HFP13N60U , HFP13N65U , HFP18N50U , HFP2N60S , HFP2N60U .

History: SWT69N65K2F | HAT1072H

 

 
Back to Top

 


 
.