Справочник MOSFET. HFP6N70U

 

HFP6N70U Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFP6N70U
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для HFP6N70U

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFP6N70U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:197K  semihow
hfp6n70u.pdfpdf_icon

HFP6N70U

March 2013BVDSS = 700 VRDS(on) typ = 1.8 HFP6N70U ID = 6.0 A700V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 16.0 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

 9.1. Size:198K  semihow
hfp6n60u.pdfpdf_icon

HFP6N70U

July 2012BVDSS = 600 VRDS(on) typ HFP6N60U ID = 6.0 A600V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 16.0 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

 9.2. Size:201K  semihow
hfp6n65u.pdfpdf_icon

HFP6N70U

July 2012BVDSS = 650 VRDS(on) typ HFP6N65U ID = 6.0 A650V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 16.0 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

 9.3. Size:184K  semihow
hfp6n90.pdfpdf_icon

HFP6N70U

Dec 2005BVDSS = 900 VRDS(on) typ HFP6N90ID = 6.0 A900V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design 123 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 35 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON

Другие MOSFET... HFP5N50U , HFP5N60S , HFP5N60U , HFP5N65S , HFP5N65U , HFP5N70S , HFP6N60U , HFP6N65U , IRF1010E , HFP6N90 , HFP730S , HFP730U , HFP8N60S , HFP8N60U , HFP8N65S , HFP8N65U , HFP8N70U .

History: AFP4535 | 1N65L-T92-B | STD180N4F6 | PHB225NQ04T | IXTQ74N20P | MMP2311 | IXTY1R6N50D2

 

 
Back to Top

 


 
.