HFP6N70U. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HFP6N70U

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.3 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для HFP6N70U

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFP6N70U даташит

 ..1. Size:197K  semihow
 hfp6n70u.pdf pdf_icon

HFP6N70U

March 2013 BVDSS = 700 V RDS(on) typ = 1.8 HFP6N70U ID = 6.0 A 700V N-Channel MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 16.0 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

 9.1. Size:198K  semihow
 hfp6n60u.pdf pdf_icon

HFP6N70U

July 2012 BVDSS = 600 V RDS(on) typ HFP6N60U ID = 6.0 A 600V N-Channel MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 16.0 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

 9.2. Size:201K  semihow
 hfp6n65u.pdf pdf_icon

HFP6N70U

July 2012 BVDSS = 650 V RDS(on) typ HFP6N65U ID = 6.0 A 650V N-Channel MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 16.0 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

 9.3. Size:184K  semihow
 hfp6n90.pdf pdf_icon

HFP6N70U

Dec 2005 BVDSS = 900 V RDS(on) typ HFP6N90 ID = 6.0 A 900V N-Channel MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design 1 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 35 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HFP5N50U, HFP5N60S, HFP5N60U, HFP5N65S, HFP5N65U, HFP5N70S, HFP6N60U, HFP6N65U, IRF9540N, HFP6N90, HFP730S, HFP730U, HFP8N60S, HFP8N60U, HFP8N65S, HFP8N65U, HFP8N70U