Справочник MOSFET. HFP6N70U

 

HFP6N70U MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HFP6N70U
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для HFP6N70U

 

 

HFP6N70U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:197K  semihow
 hfp6n70u.pdf

HFP6N70U HFP6N70U

March 2013BVDSS = 700 VRDS(on) typ = 1.8 HFP6N70U ID = 6.0 A700V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 16.0 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

 9.1. Size:198K  semihow
 hfp6n60u.pdf

HFP6N70U HFP6N70U

July 2012BVDSS = 600 VRDS(on) typ HFP6N60U ID = 6.0 A600V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 16.0 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

 9.2. Size:201K  semihow
 hfp6n65u.pdf

HFP6N70U HFP6N70U

July 2012BVDSS = 650 VRDS(on) typ HFP6N65U ID = 6.0 A650V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 16.0 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

 9.3. Size:184K  semihow
 hfp6n90.pdf

HFP6N70U HFP6N70U

Dec 2005BVDSS = 900 VRDS(on) typ HFP6N90ID = 6.0 A900V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design 123 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 35 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top