HFP8N70U - аналоги и даташиты транзистора

 

HFP8N70U - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HFP8N70U
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для HFP8N70U

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFP8N70U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:198K  semihow
 hfp8n70u.pdf pdf_icon

HFP8N70U

March 2013BVDSS = 700 VRDS(on) typ = 1.3 HFP8N70U ID = 7.5 A700V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 22.0 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

 9.1. Size:197K  semihow
 hfp8n60u.pdf pdf_icon

HFP8N70U

August 2012BVDSS = 600 VRDS(on) typ HFP8N60U ID = 7.5 A600V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 22.0 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

 9.2. Size:198K  semihow
 hfp8n65u.pdf pdf_icon

HFP8N70U

March 2013BVDSS = 650 VRDS(on) typ HFP8N65U ID = 7.5 A650V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 22.0 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

 9.3. Size:192K  semihow
 hfp8n65s.pdf pdf_icon

HFP8N70U

Sep 2009BVDSS = 650 VRDS(on) typ HFP8N65SID = 7.2 A650V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design 123 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 22 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(O

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HFP6N70U , HFP6N90 , HFP730S , HFP730U , HFP8N60S , HFP8N60U , HFP8N65S , HFP8N65U , SPP20N60C3 , HFP9N50 , HFS10N60S , HFS10N60U , HFS10N65S , HFS10N65U , HFS10N80 , HFS11N40 , HFS12N60S .

History: IPB65R190E6 | P0903BDA | CS5N65U | P261AFEA | SVS11N70SD2 | SSM6J212FE | OSG65R460AZF

 

 
Back to Top

 


 
.