HFP8N70U. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HFP8N70U

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для HFP8N70U

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFP8N70U даташит

 ..1. Size:198K  semihow
 hfp8n70u.pdf pdf_icon

HFP8N70U

March 2013 BVDSS = 700 V RDS(on) typ = 1.3 HFP8N70U ID = 7.5 A 700V N-Channel MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 22.0 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

 9.1. Size:197K  semihow
 hfp8n60u.pdf pdf_icon

HFP8N70U

August 2012 BVDSS = 600 V RDS(on) typ HFP8N60U ID = 7.5 A 600V N-Channel MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 22.0 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

 9.2. Size:198K  semihow
 hfp8n65u.pdf pdf_icon

HFP8N70U

March 2013 BVDSS = 650 V RDS(on) typ HFP8N65U ID = 7.5 A 650V N-Channel MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 22.0 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

 9.3. Size:192K  semihow
 hfp8n65s.pdf pdf_icon

HFP8N70U

Sep 2009 BVDSS = 650 V RDS(on) typ HFP8N65S ID = 7.2 A 650V N-Channel MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design 1 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 22 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(O

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HFP6N70U, HFP6N90, HFP730S, HFP730U, HFP8N60S, HFP8N60U, HFP8N65S, HFP8N65U, SKD502T, HFP9N50, HFS10N60S, HFS10N60U, HFS10N65S, HFS10N65U, HFS10N80, HFS11N40, HFS12N60S